[发明专利]一种改善STI凹槽的上角边缘厚度的方法

权利要求书

1.一种改善STI凹槽的上角边缘厚度的方法，其特征在于

提供一具有浅沟槽绝缘结构的基底，该基底上表面涂覆有SiN层；

在其上进行氧化物的等离子沉积，沉积的同时加入氩气，进行溅蚀与沉积。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于该方法通过增强其氩气的气体流量或射频功率，调节其蚀刻与沉积之间的比率。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于上述氩气的气体流量值为84～102sccm。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于上述氩气的气体流量值为93sccm。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于上述射频功率为3200W～3800W。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于上述射频功率为3650W。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于上述蚀刻与沉积之间的比率为0.15～0.35。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于上述蚀刻与沉积之间的比率为0.295。