[发明专利]透明导电性薄膜、其制造方法以及具备其的触摸面板

说明书

技术领域

本发明涉及在可见光线中具有透明性，且在薄膜基材上经由底涂层而 设置有透明导电体层的透明导电性薄膜及其制造方法。进而，涉及具备该 透明导电性薄膜的触摸面板。

本发明的透明导电性薄膜除了用于液晶显示、电致发光显示等显示方 式和触摸面板等中的透明电极，还用于透明物品的带电防止或屏蔽电磁 波。本发明的透明导电性薄膜尤其适合用于触摸面板用途。其中，适合于 阻抗膜方式的触摸面板用途。

背景技术

触摸面板根据位置检测的方法具有光学方式、超声波方式、静电容量 方式、阻抗膜方式等。阻抗膜方式的触摸面板形成如以下的构造，即：一 对透明导电性薄膜隔着间隔件相对配置，向上侧的透明导电性薄膜流入电 流，并测量下侧的透明导电性薄膜中的电压。如果通过利用手指或笔等的 按压操作而使上侧的透明导电性薄膜与下侧的透明导电性薄膜接触，则该 接触部分通电，由此检测该接触部分的位置。因而，透明导电性薄膜需要 笔输入耐久性。

作为此种透明导电性薄膜，近年来，除可弯性、加工性以外，从耐冲 击性优良、轻量等优点出发，使用以聚对苯二甲酸乙酯薄膜为首的各种薄 膜作为基材的透明导电性薄膜。使用此种透明导电性薄膜的触摸面板多用 在屋外。因而，透明导电性薄膜需要笔输入耐久性，并且需要高温高湿可 靠性。

然而，作为透明导电性薄膜提出了将透明导电体层的膜厚形成为 12～2nm，最大表面粗糙度控制为1～20nm，平均表面粗糙度控制为 0.1～10nm的方案(专利文献1)。此外，作为透明导电性薄膜提出了设置 两层透明导电体层，表面粗糙度Ra控制为0.5～2.0nm，最大高度Ry控制 为8～20nm的方案(专利文献2)。此外，作为透明导电性薄膜提出了将透 明导电体层的中心线平均表面粗糙度Ra研磨到1nm以下，将10点平均 粗糙度Rz研磨到10nm以下，将最大高度Ry研磨到10nm以下的方案(专 利文献3)。在专利文献1中记载得到极薄膜的连续膜的透明导电体层，在 专利文献2中记载了透明导电体层为低阻抗且表面平坦性优良，在专利文 献3中记载了透明导电体层的表面平滑性优良，但专利文献1至3所述的 透明导电体层并不提供笔输入耐久性和高温高湿可靠性优良的透明导电 体层。

专利文献1：国际公开2004/105055号宣传册

专利文献2：特开2005-268616号公报

专利文献3：特开2005-93318号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有笔输入耐久性和高温高湿可靠性优 良的透明导电体层的透明导电性薄膜及其制造方法。此外，目的在于提供 一种具备该透明导电性薄膜的触摸面板。

本发明者们为解决上述问题而锐意研究的结果，发现利用下述的透明 导电性薄膜能够达到所述目的，而完成本发明。

即，本发明关于一种透明导电性薄膜，其在透明的薄膜基材的单面隔 着至少一层底涂层而具有透明导电体层，其特征在于，所述透明导电体层 使用从铟、锡、锌、镓、锑、钛、硅、锆、镁、铝、金、银、铜、钯、钨 构成的组中选择的至少一种金属的金属氧化物来构成，所述透明导电体层 的厚度d为15～35nm，平均表面粗糙度为0.37～1nm，在所述透明导电性 薄膜中，所述透明导电体层的平均表面粗糙度Ra除以所述厚度d后的值 (Ra/d)优选为0.017～0.045，在所述透明导电性薄膜中，所述透明导电体 层的最大表面粗糙度Ry优选为7.5～15nm，在所述透明导电性薄膜中，所 述透明导电体层的最大表面粗糙度Ry除以所述厚度d后的值(Ry/d)优 选为0.34～1。

在所述透明导电性薄膜中，从所述透明的薄膜基材侧起第一层的底涂 层优选由有机物形成。

在所述透明导电性薄膜中，在底涂层至少有两层的情况下，至少距离 透明的薄膜基材最远的底涂层优选由无机物形成。作为由无机物形成的底 涂层优选是SiO₂膜。

作为本发明的透明导电性薄膜，在所述透明的薄膜基材的另一方的面 上隔着透明的粘结剂层而贴合透明基体。

所述透明导电性薄膜适合用于触摸面板。作为触摸面板适合是阻抗膜 方式的触摸面板。