[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1、一种方法，包括如下步骤：

在半导体衬底上方形成光电二极管；

在上面具有所述光电二极管的所述半导体衬底上方形成层间电介质；

在所述层间电介质的上部中形成用作波导的沟槽；

在所述沟槽的底部表面上方形成折射层；

形成波导电介质以填充所述沟槽；

在所述波导电介质上方形成微透镜。

2、如权利要求1所述的方法，还包括：在所述波导电介质上方和在所述微透镜下方形成滤色镜。

3、如权利要求2所述的方法，还包括：在所述滤色镜上方和在所述微透镜下方形成覆盖膜。

4、如权利要求1所述的方法，其中所述层间电介质包括多条金属线。

5、如权利要求1所述的方法，其中形成所述电介质以填充所述沟槽时，所形成的电介质覆盖所述层间电介质的上部。

6、如权利要求1所述的方法，其中所述沟槽是通过蚀刻所述层间电介质的光电二极管区而形成的。

7、如权利要求1所述的方法，其中所述波导构成入射光的传输路径。

8、如权利要求1所述的方法，其中所述折射层是由具有比所述波导电介质更高的折射率的材料制成的。

9、如权利要求1所述的方法，其中所述折射层是由包含氮化硅的无机材料制成的。

10、如权利要求1所述的方法，其中所述折射层是由包含氮化硅的有机材料制成的。

11、如权利要求1所述的方法，其中形成所述沟槽的步骤包括：蚀刻所述光电二极管区，使得所述沟槽的底部存留有部分所述层间电介质。

12、如权利要求11所述的方法，其中所述折射层是由具有比存留在所述沟槽底部的部分所述层间电介质更高的折射率的材料制成的。

13、一种装置，包含：

光电二极管，形成在半导体衬底上方；

层间电介质，形成在所述半导体衬底上方，包括用于在光电二极管区中引导入射光的波导电介质；

折射层，形成在所述层间电介质中的所述波导电介质的底部；以及

微透镜，形成在所述层间电介质上方。

14、如权利要求13所述的装置，其中所述层间电介质包含位于晶体管区中的多条金属线。

15、如权利要求13所述的装置，还包含：滤色镜，形成在所述层间电介质的上表面上方和所述微透镜下方。

16、如权利要求15所述的装置，还包含：覆盖膜，形成在所述滤色镜上方和所述微透镜下方。

17、如权利要求13所述的装置，其中所述折射层具有比所述波导电介质更高的折射率。

18、如权利要求13所述的装置，其中所述折射层具有比所述层间电介质更高的折射率。

19、如权利要求13所述的装置，其中所述折射层是由包含氮化硅的无机材料制成的。

20、如权利要求13所述的装置，其中所述折射层是由包含氮化硅的有机材料制成的。