[发明专利]具有导热层结构的晶片电阻

说明书

技术领域

本发明有关一种具有导热层结构的晶片电阻，特指一种通过绝缘基板及其上、下方设置的导热层、导电层，且由二端电极包覆连接该绝缘基板、导热层及导电层的晶片电阻，该以铜箔、金属薄膜或合金箔为材料的导热层设有一刻蚀的隔离槽缝，另外，该以合金为材料的导电层具特定宽度以符合所需的阻抗大小值。

背景技术

现有技术的晶片电阻，是利用导电层的设计，以达到导电的单一效果，但其在散热的效能表现上多所不足，故具有创新及改善的空间。

图1显示一现有技术的晶片电阻整体结构剖视图，为中国台湾公告第200523955号“表面粘合金属箔晶片电阻器的制造方法”一案中所揭露的技术，其中载明：该表面粘合金属箔晶片电阻器的制造方法，首先提供一绝缘基板A，再在这绝缘基板A上形成作为端电极C之用的导体层图形，然后在这上贴合具特定电阻系数的金属箔，接着把利用抗蚀剂以将电子线路图形涂布在金属箔上，然后再以化学刻蚀方式将电子线路成型，接着将抗蚀剂去除，然后，利用激光或类似方法将该金属箔电阻层B切割出激光切割线B1或其他方式的处理，以达先前所预定的电阻值。接着，进行其他后续步骤而完成金属箔晶片电阻器的工艺。

图2显示另一现有技术的晶片电阻整体结构剖视图，为中国台湾公告第I220164号“新颖的电流感测元件及其制造方法”一案中所揭露的技术，其中载明：一种新颖的电流感测元件及其制造方法：主要以镍铜合金或锰铜合金或镍铬合金等低温度电阻系数(TCR)合金的薄膜D1，作为基板D表层，通过热压贴合方式，紧密附着于陶瓷、氧化铝、氮化铝或氧化铍(BeO)薄板D2上、下表面上，而形成的发明基板；其次，利用掩膜刻蚀，在基板表层上形成电流感测器的布局图案；再在感测器单元的两侧电极E部分利用电镀，在底面形成覆晶F，并将正面的电极G镀厚；然后以激光修整，得到具有精确阻值的感测器图形；又在感测器图形上被覆一保护层H；并与切条，以溅镀法被覆端面电极E，G；最后进行切粒、滚镀，而得微小的晶片型电流感测元件。

现有技术的晶片电阻的缺点如下：

1.电阻内部结构复杂，工艺时间及设备成本耗费较大。

2.仅依靠导电层散热，散热效果随宽度改变致不稳定。

3.无导热层设计致散热不佳，易影响电阻寿命与性能。

综上所述，前述所提及关于现有技术的的晶片电阻，尽管能够达成在提供电路特定阻抗上所具备的基本要求，但在简化结构及提升散热效率上的性能，皆存在诸多缺点与不足的情况下，无法发挥更具体的产业应用性。

由于现有技术的的晶片电阻，存在上述的缺失与不足，基于产业进步的未来趋势前提下，实在有必要提出具体的改善方案，以符合产业进步所需，更进一步提供业界更多的技术性选择。

发明内容

本发明以解决现有技术的晶片电阻在简化结构及提升散热效率等方面不足的缺点，以及在实用化技术等方面受到限制的问题，一方面在达成简化结构及提升散热效率为目的，另一方面在于将导电与导热分工处理，增加电路效能与散热性能，以达成所应具备的基本功能外，并使其兼具产业应用性的实际发展与竞争要求。

为了达成上述目的及功能，其具体采行的技术手段及方案包括：

一种具有导热层结构的晶片电阻，该晶片电阻包含：

一绝缘基板，以一具绝缘特性的材料为基底的板片。

一导热层，为一设置于绝缘基板上方的金属层，该导热层刻蚀一隔离槽缝。

一导电层，为一设置于绝缘基板下方且具特定宽度的金属层。

二端电极，为一包覆于该绝缘基板及导热层二侧且连接导电层二侧呈U型槽体的金属镀覆外壳。

前述该导热层的材料为铜箔、金属薄膜或合金箔等的任一种。

前述该导电层的材料为合金材料。

前述该导电层的特定宽度由阻抗大小决定。

本发明的具体优点在于：

1.电阻内部结构元件精简，工艺简单成本耗费较低。

2.导电层专职导电，有效增进电路效能的整体表现。

3.导热层设计，提升散热率，增加电阻性能与寿命。

有关本发明为达到发明目的所运用的技术手段及其构造，再配合附图所示的实施例，进行详细说明。

附图说明

图1显示一现有技术的晶片电阻整体结构剖视图；

图2显示另一现有技术的晶片电阻整体结构剖视图；

图3显示本发明一实施例整体结构正面立体图；

图4显示本发明一实施例整体结构背面立体图；

图5显示本发明一实施例整体结构局部剖视立体图；

图6显示本发明一实施例整体结构正面平面视图；