[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号: | 200810168949.7 | 申请日: | 2008-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN101404183A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
| 发明(设计)人: | 广濑雅庸;饭田真久 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,具备:
存储器阵列,该存储器阵列包含存储通常数据的标准阵列、和存储旨 在对所述通常数据进行错误检出的奇偶数据的奇偶阵列;
多个第1数据线,这些第1数据线对所述存储器阵列进行写入及读出;
多个第1数据锁存器,这些第1数据锁存器与所述多个第1数据线连 接;
ECC电路部,该ECC电路部根据写入所述标准阵列的数据,生成存 储到所述奇偶阵列的奇偶数据,而且根据从所述多个第1数据锁存器中读 出的标准数据及奇偶数据,对读出的数据进行错误检知纠正;
输入输出部,该输入输出部用作所述ECC电路部与外部的接口;
多个第2数据线,向这些第2数据线输入所述多个第1数据锁存器的 输出数据;和
多个第3数据线,向这些第3数据线输入经所述ECC电路部纠错后 的数据,
所述多个第2数据线与所述ECC电路部连接;
作为所述ECC电路部的输出线的所述多个第3数据线,与所述输入 输出部连接;
所述多个第1数据锁存器,以靠近所述存储器阵列的与所述多个第1 数据线相连接的一侧的方式配置;
所述ECC电路部,靠近所述多个第1数据锁存器地配置;
所述多个第1数据锁存器及所述ECC电路部形成在由形成所述存储 器阵列的宽度规定的区域内,其中该宽度是字线延伸的方向上的宽度。
2.如权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
进而具备多个第2数据锁存器,这些第2数据锁存器选择性地锁存来 自所述多个第3数据线的输入数据和来自外部的输入数据。
3.如权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
在所述存储器阵列与所述ECC电路部之间配置的、与所述标准阵列 对应的区域和与所述奇偶阵列对应的区域中,将输入所述ECC电路部的 1比特的数据作为单位比特,与所述单位比特对应的电路组的布局图案, 在各自的单位比特中相同而且连续地形成。
4.如权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述多个第1数据锁存器,至少具备与所述多个第1数据线连接的读 出锁存电路、写入缓冲器电路及数据线预充电电路。
5.如权利要求4所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述多个第1数据线,是与所述存储器阵列内的存储单元连接的位线;
所述读出锁存电路,具有检知放大所述位线的电位的读出放大器功 能。
6.如权利要求4所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述多个第1数据线,是通过数据线连接开关,选择性地与所述存储 器阵列内的多个读出放大器连接的公共数据线;
所述读出锁存电路,具有检知放大所述公共数据线的电位的总线放大 器功能。
7.如权利要求6所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述读出放大器,与被共同连接至多个动态型存储单元的互补位线连 接,同时被ECC处理的数据与物理性互不连接的所述互补位线对应配置。
8.如权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述多个第1数据锁存器的锁存控制信号线,沿与所述存储器阵列内 的多个字线贴里布线平行的方向,形成在第1布线层;
所述多个第1数据线、所述多个第2数据线和所述多个第3数据线, 沿与所述字线贴里布线正交的方向,形成在第2布线层。
9.如权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
将所述存储器阵列分割成多个由所述标准阵列及所述奇偶阵列构成 的子存储器阵列,以一定的间距配置所述多个子存储器阵列。
10.如权利要求9所述的半导体存储装置,其特征在于:
在由字线贴里区域分开的子字区域中,包含n个所述子存储器阵列, 以一定的间距配置各个所述子字区域,其中n为1以上的自然数。
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