[发明专利]电致发光元件及其制造方法

权利要求书

1.电致发光元件的制造方法，其特征在于，包括下述工序：

润湿性变化层形成工序，在形成有第1电极层的基板上，形成含光催化剂的、润湿性因伴随能量照射的光催化剂的作用而发生变化的润湿性变化层；

润湿性变化图案形成工序，通过对上述润湿性变化层按图案状进行能量照射，在上述润湿性变化层表面形成由亲液性区域和抗液性区域构成的润湿性变化图案；

发光层形成工序，在形成有润湿性变化图案的上述润湿性变化层上，涂布含周围配置有配体的量子点的发光层形成用涂布液，在上述亲液性区域上形成发光层。

2.电致发光元件的制造方法，其特征在于，包括下述工序：

润湿性变化层形成工序，在形成有第1电极层的基板上，形成润湿性因伴随能量照射的光催化剂的作用而发生变化的润湿性变化层；

润湿性变化图案形成工序，相对于上述润湿性变化层，空出伴随能量照射的催化剂的作用能影响到的间隙，配置基体上形成有至少含光催化剂的光催化剂处理层的光催化剂处理层基体，然后，通过按图案状进行能量照射，在上述润湿性变化层表面形成由亲液性区域和抗液性区域构成的润湿性变化图案；

发光层形成工序，在形成有润湿性变化图案的上述润湿性变化层上，涂布含周围配置有配体的量子点的发光层形成用涂布液，在上述亲液性区域上形成发光层。

3.权利要求1或2所述的电致发光元件的制造方法，其特征在于，所述配体是硅烷偶联剂。

4.权利要求3所述的电致发光元件的制造方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂是YnSiX(4-n)所示的硅化合物，其中，Y表示烷基、氟烷基、乙烯基、氨基、苯基或环氧基，X表示烷氧基、乙酰基或卤素，n是0～3的整数。

5.权利要求3所述的电致发光元件的制造方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂是YnSiX(4-n)所示的硅化合物，其中，Y表示直接或介由乙烯基或苯基结合的显示空穴传输性的官能团、直接或介由乙烯基或苯基结合的显示电子传输性的官能团或者直接或介由乙烯基或苯基结合的可显示空穴传输性和电子传输性两者的官能团，X表示烷氧基、乙酰基或卤素，n是0～3的整数。

6.权利要求3所述的电致发光元件的制造方法，其特征在于，在所述发光层形成工序中，在涂布所述发光层形成用涂布液后，进行固化。

7.权利要求1或2的任一项所述的电致发光元件的制造方法，其特征在于，所述发光层形成用涂布液还含空穴传输材料和电子传输材料中的至少一方。

8.权利要求1或2的任一项所述的电致发光元件的制造方法，其特征在于，所述量子点具有半导体微粒构成的芯部和包覆该芯部的由带隙比所述半导体微粒大的材料构成的壳部。

9.权利要求1或2的任一项所述的电致发光元件的制造方法，其特征在于，所述发光层形成用涂布液的涂布方法包括喷出法。

10.权利要求1或2的任一项所述的电致发光元件的制造方法，其特征在于，所述润湿性变化层含有有机聚硅氧烷，所述有机聚硅氧烷是YnSiX(4-n)所示硅化合物中的1种或2种以上的水解缩合物或共水解缩合物，其中，Y表示烷基、氟烷基、乙烯基、氨基、苯基或环氧基，X表示烷氧基、乙酰基或卤素，n是0～3的整数。

11.电致发光元件，其特征在于，具备：

基板，

在所述基板上按图案状形成的第1电极层，

润湿性变化层，其形成在所述第1电极层之上，润湿性因伴随能量照射的光催化剂的作用而发生变化，具有由亲液性区域和抗液性区域构成的润湿性变化图案，所述亲液性区域配置在所述第1电极层图案上并含有聚硅氧烷，所述抗液性区域对应第1电极层图案的开口部并含有含氟有机聚硅氧烷，

在所述润湿性变化层的亲液性区域上形成的发光层，和

在所述发光层上形成的第2电极层；

在所述发光层中，使用周围配置有硅烷偶联剂的量子点。

12.权利要求11所述的电致发光元件，其特征在于，所述发光层含有所述硅烷偶联剂的水解缩合物，并被固化。