[发明专利]使用离子束的半导体装置

权利要求书

1、一种半导体装置，包括：

等离子体腔，包括壁部分和内部空间，向壁部分施加参考电压，在内部空间中产生等离子体；以及

多个格栅，邻近该等离子体腔且从等离子体诱发离子束，其中

每个格栅包括离子束从其穿过的多个诱发孔，

具有与该参考电压相同电势电平的电压施加到第一格栅，且

具有与该参考电压不同电势电平的电压施加到最后格栅；其中

第一格栅是最靠近等离子体的格栅，最后格栅是最远离等离子体的格栅。

2、根据权利要求1的半导体装置，其中该离子束是正离子束，且施加给最后格栅的电压具有比参考电压低的电势电平。

3、根据权利要求2的半导体装置，其中该多个格栅包括至少一个在第一和最后格栅之间的格栅，且

该至少一个在第一和最后格栅之间的格栅包括通量调整格栅，其中

具有比参考电压低的电势电平的电压施加给该通量调整格栅。

4、根据权利要求3的半导体装置，其中施加给通量调整格栅的电压具有比施加给最后格栅的电压低的电势电平。

5、根据权利要求1的半导体装置，其中该离子束是负离子束，且施加给最后格栅的电压具有比参考电压高的电势电平。

6、根据权利要求5的半导体装置，其中所述多个格栅包括至少一个在第一和最后格栅之间的格栅，且

该至少一个在第一和最后格栅之间的格栅包括通量调整格栅，其中

具有比参考电压高的电势电平的电压施加给该通量调整格栅。

7、根据权利要求6的半导体装置，其中施加给通量调整格栅的电压具有比施加给最后格栅的电压高的电势电平。

8、根据权利要求1的半导体装置，还包括：

中性化单元，用于将离子束转化为中性束，其中所述多个格栅在等离子体腔和中性化单元之间。

9、根据权利要求8的半导体装置，其中具有与施加给最后格栅的电压相同的电势电平的电压施加给中性化单元。

10、根据权利要求8的半导体装置，其中中性化单元包括多个反射板，其中该多个反射板与离子束成角度。

11、根据权利要求8的半导体装置，其中中性化单元包括穿过其形成多个穿孔的板，离子束在穿过穿孔时转化为中性束。

12、根据权利要求11的半导体装置，其中中性化单元的多个穿孔对准所述多个格栅的诱发孔，且穿孔具有比诱发孔更大的高宽比。

13、根据权利要求1的半导体装置，其中等离子体腔的壁部分包括：

外壁，由导电材料形成；以及

内壁，在外壁上且由介电材料形成，其中

内壁毗邻等离子体腔的内部空间，参考电压施加给外壁。

14、根据权利要求1的半导体装置，其中参考电压具有地电势电平。