[发明专利]成膜装置及其使用方法

说明书

技术领域

本发明涉及在半导体晶片等被处理基板上形成硅氮化膜等薄膜的半导体处理用的成膜装置及其使用方法。在此，半导体处理是指在晶片或LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示装置)这样的FPD(Flat PanelDisplay：平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板上以规定的图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，从而在该被处理基板上制造半导体设备、与半导体设备连接的包括配线、电极等结构物，为此而实施的各种处理。

背景技术

在半导体设备的制造工序中，通过CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉淀)等处理，进行在被处理基板、例如半导体晶片上形成硅氮化膜、硅氧化膜等薄膜的处理。在这样的成膜处理中，例如、如以下那样在半导体晶片上形成薄膜。

首先，通过加热器将热处理装置的反应管(反应室)内加热到规定的装载温度，对收容有多个半导体晶片的晶舟进行装载。接着，通过加热器将反应管内加热到规定的处理温度，并且从排气口排出反应管内的气体，将反应管内减压到规定的压力。

接着，一边将反应管内维持在规定的温度和压力(一边继续排气)、一边从气体供给线向反应管内供给成膜气体。例如在CVD中，对反应管内供给成膜气体，则成膜气体发生热反应，产生反应生成物。反应生成物堆积在半导体晶片的表面，在半导体晶片的表面形成薄膜。

通过成膜处理生成的反应生成物作为副生成物膜不仅在半导体晶片的表面，例如在反应管的内面或各种夹具等上也堆积(附着)。如果副生成物膜附着在反应管内的状态下继续进行成膜处理，则由构成反应管等的石英和副生成物膜的热膨胀率的不同而产生的应力会使石英或副生成物膜局部剥离。由此产生颗粒，成为降低被制造的半导体设备的成品率，或者使处理装置的部件劣化的原因。

因此，在进行多次成膜处理后，进行反应管内的清洁。在该清洁中，对通过加热器被加热到规定的温度的反应管内供给清洁气体例如氟和含卤酸性气体的混合气体。附着在反应管的内面等上的副生成物膜通过清洁气体被干蚀刻除去(例如参照特开平3—293726号公报)。但是，如后所述，本发明人等预见到，在现有的这种成膜装置的包括清洁处理的使用方法中，在关于停歇时间和颗粒产生的装置的特性这点上还有改善的余地。

发明内容

本发明目的在于提供一种能够提高关于停歇时间或颗粒产生的装置的特性的半导体处理用的成膜装置及其使用方法。

本发明的第一观点，一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其用于在反应室内从第一喷嘴供给成膜反应性气体而在被处理基板上形成薄膜，为了除去堆积在上述反应室内和上述第一气体分散喷嘴内的副生成物膜，在上述反应室内没有收纳上述被处理基板的状态下，依次进行：一边向上述反应室内供给蚀刻上述副生成物膜的清洁反应性气体进行活性化一边蚀刻上述副生成物膜的蚀刻工序；和停止上述清洁反应性气体的供给并对上述反应室内进行排气的排气工序，进行清洁处理，在此，上述蚀刻工序使用供给到上述反应室内的上述清洁反应性气体向上述第一气体分散喷嘴中流入的条件。