[发明专利]基材处理设备以及使用该基材处理设备处理基材的方法有效
| 申请号: | 200810167638.9 | 申请日: | 2008-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN101431006A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
| 发明(设计)人: | 金性洙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;B08B3/10 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁兴龙;陈桂香 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基材 处理 设备 以及 使用 方法 | ||
1.一种基材处理设备,其包括:
其上固定地放置基材的支撑件;以及
设置在所述支撑件上方的处理液供应部,用于通过向置于所述支撑件上的所述基材喷射呈微粒状的处理液来干燥所述基材,
其中所述处理液供应部包括:
用于接收所述处理液的第一供应喷嘴;
用于接收处理气的第二供应喷嘴;和
喷射嘴,用于通过控制所述处理气的气流同时喷出所述处理气和所述处理液而使所述处理液在所述处理气的作用下分解成微粒,
所述喷射嘴包括:
从所述第一供应喷嘴注入所述处理液的化学品溶液流道;
第一喷嘴部,其内形成所述化学品溶液流道和用于喷出所述处理液的第一喷射孔,所述第一喷嘴部与所述第一供应喷嘴连接;
从所述第二供应喷嘴注入所述处理气并包围所述化学品溶液流道的气体流道;和
第二喷嘴部,在所述第一喷嘴部和所述第二喷嘴部之间形成所述气体流道,并形成有用于喷出所述处理气且包围所述第一喷射孔的第二喷射孔,所述第二喷嘴部包围所述第一喷嘴部并与所述第二供应喷嘴连接,
其中形成有所述第二喷射孔的所述第二喷嘴部的下部向所述第一喷嘴部弯曲,所述第一喷射孔具有去顶锥形的内表面和倒置去顶锥形的外表面。
2.一种使用权利要求1所述的基材处理设备处理基材的方法,其包括:
将基材固定地放置在支撑件上;
将喷射嘴设置在所述支撑件的上部之上;以及
通过经所述喷射嘴喷射微粒状的处理液来干燥所述基材,
其中干燥所述基材包括:
将处理气注入包围所述化学品溶液流道的所述喷射嘴的气体流道,并将所述处理液注入所述喷射嘴的化学品溶液流道;以及
控制注入所述气体流道内的所述处理气的气流而向所述基材喷出所述处理气,并向所述基材喷出所述化学品溶液流道内的处理液而使所述处理液分解成微粒状。
3.如权利要求2所述的处理基材的方法,其中通过控制气流而将所述处理气喷入从所述喷射嘴喷出的处理液。
4.一种使用权利要求1所述的基材处理设备处理基材的方法,其包括:
将基材固定地放置在支撑件上;以及
向所述基材供应异丙醇以干燥所述基材,其中向所述基材供应由于处理气的作用而呈喷雾状的异丙醇。
5.如权利要求4所述的处理基材的方法,其中干燥所述基材包括:
将喷射嘴设置在所述支撑件的上部之上;
将异丙醇注入所述喷射嘴的化学品溶液流道,并将所述处理气注入包围所述化学品溶液流道的所述喷射嘴的气体流道;以及
控制注入所述气体流道内的所述处理气的气流而向所述基材喷出所述处理气,并向所述基材喷出所述化学品溶液流道内的异丙醇而使异丙醇分解成微粒状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





