[发明专利]一种制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法

权利要求书

1.一种制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤A、将异质衬底粘附在高温下较稳定且不会对氮化物造成污染的基底上，并将所述异质衬底的厚度控制在1～200微米之间；

步骤B、在所述异质衬底上生长一层较该异质衬底显著更厚的氮化物；

步骤C、在氮化物生长结束后降温，并将降温后氮化物层上仍残留的异质衬底去掉。

2.根据权利要求1所述的制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法，其特征在于：

步骤A中，所述异质衬底是采用低熔点柔性金属压焊到所述基底上的。

3.根据权利要求1所述的制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法，其特征在于：

所述异质衬底为蓝宝石。

4.根据权利要求1所述的制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法，其特征在于：

所述基底为蓝宝石。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法，其特征在于：

步骤A中，所述异质衬底的厚度在5～150微米之间。

6.根据权利要求5中所述的制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法，其特征在于：

在步骤B中，所述氮化物层的厚度是所述异质衬底厚度的三倍以上。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法，其特征在于：

在步骤B中，所述氮化物层的厚度是所述异质衬底厚度的三倍以上。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法，其特征在于：

步骤A所述控制异质衬底厚度的方法为：在将所述异质衬底粘附到所述基底上后，将该异质衬底减薄。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法，其特征在于：

在步骤B中，生长氮化物的方法为HVPE法。