[发明专利]基片处理方法、输送处理材料的旋转单元及基片处理装置

权利要求书

1.一种基片处理方法，包括：

使固定在支承部上的基片旋转；

有选择地将处理材料输送到该旋转基片的下表面上；且

有选择地将该处理材料输送到该旋转基片的上表面上，

其中，所述将处理材料输送到基片的下表面上的步骤，包括在离开所述下表面一间距的位置将所述处理材料喷到所述下表面的中心部和靠近该中心部的中心邻近部，所述处理材料包括干燥气体、蚀刻液和清洗液，

且所述干燥气体在离所述下表面第一间距的第一位置喷射，而所述蚀刻液和清洗液在离所述下表面第二间距的第二位置喷射，所述第二间距大于所述第一间距，

且所述干燥气体喷到所述基片的下表面的中心部上，而所述蚀刻液和清洗液喷到所述基片的下表面的中心邻近部上。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻液和清洗液以第一方向喷到所述下表面上，而所述干燥气体以不同于所述第一方向的第二方向喷到所述下表面上。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将处理材料输送到下表面上的步骤以及所述将处理材料输送到基片的上表面上的步骤，是同时进行的。

4.一种旋转单元，包括：

旋转部，基片在其上旋转；

位于所述旋转部的上表面的周边部上且支撑所述基片的支承部；和

位于所述旋转部的上表面上且与所述基片的下表面分开的喷射器，所述喷射器，在所述基片旋转时，有选择地将处理材料喷到所述基片的下表面上，

其中，所述处理材料包括干燥气体、蚀刻液和清洗液，且所述喷射器包括：第一分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心部且离所述基片的下表面第一间距，所述干燥气体经该第一分喷射器喷到所述基片的下表面上；和第二分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心邻近部且离所述基片下表面第二间距，所述蚀刻液和清洗液经该第二分喷射器喷到所述基片的下表面上，

且所述第二间距大于所述第一间距。

5.如权利要求4所述的旋转单元，其特征在于，所述第一间距与第二间距之比为约1∶2至约1∶4。

6.如权利要求4所述的旋转单元，其特征在于，所述第一和第二间距分别被相互独立地控制。

7.如权利要求4所述的旋转单元，其特征在于，多个所述第二分喷射器围绕所述第一分喷射器，使得所述第一分喷射器被所述第二分喷射器包围。

8.如权利要求4所述的旋转单元，其特征在于，所述第一分喷射器和第二分喷射器，以基本上与所述基片垂直的方向，将所述处理材料喷到所述基片的下表面上。

9.如权利要求4所述的旋转单元，其特征在于，所述干燥气体经所述第一分喷射器以第一方向喷射，而所述蚀刻液和清洗液经第二分喷射器以不同于所述第一方向的第二方向喷射。

10.如权利要求4所述的旋转单元，其特征在于，所述喷射器还包括封住所述喷射器的第一分喷射器和第二分喷射器的下部的罩盖，从而防止经所述喷射器喷射的处理材料从所述基片弹回后残留在所述第一分喷射器和第二分喷射器的下部。

11.如权利要求10所述的旋转单元，其特征在于，所述罩盖的周边部以倒置碟形方向向下倾斜，所述周边部相对所述罩盖的下表面倾斜呈一角度。

12.一种基片处理装置，包括：

旋转单元，具有：基片在其上旋转的旋转部、位于所述旋转部的上表面的周边部上且支撑所述基片的支承部、和位于所述旋转部的上表面上且与所述基片的下表面分开的下喷射器，所述下喷射器在所述基片旋转时有选择地将处理材料输送到所述基片的下表面上；以及

上喷射器，其位于所述基片上方，在所述基片旋转时，所述处理材料通过所述上喷射器有选择地被输送到所述基片的上表面上，

其中，所述处理材料包括干燥气体、蚀刻液和清洗液，且所述下喷射器包括：第一分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心部且离所述基片的下表面第一间距，所述干燥气体经该第一分喷射器喷到所述基片的下表面上；和第二分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心邻近部且离所述基片下表面第二间距，所述蚀刻液和清洗液经该第二分喷射器喷到所述基片的下表面上；

且所述第二间距大于所述第一间距。