[发明专利]一种p型ZnO的欧姆接触电极及其制备方法

权利要求书

1.一种p型ZnO的欧姆接触电极，在p型ZnO层(1)上自下而上依次沉积第一电极层(2)和第二电极层(3)，其特征在于所说的第一电极层(2)是金属Ni层，第二电极层(3)是金属Pt层。

2.根据权利要求1所述的p型ZnO的欧姆接触电极，其特征是金属Ni层(2)的厚度为20～40nm，金属Pt层(3)的厚度为80～120nm。

3.权利要求1所述的p型ZnO的欧姆接触电极的制备方法，依次包括以下步骤：

1)将p型ZnO层用丙酮或者无水乙醇超声清洗，然后用去离子水冲洗，再用氮气吹干；

2)在清洗好的p型ZnO层表面光刻出电极图案；

3)采用真空电子束蒸发法在光刻好的p型ZnO层上依次沉积金属Ni层和金属Pt层；沉积结束，浸入丙酮中，将不需要沉积金属的部分剥离，露出p型ZnO层，然后放入退火炉中，在氮气气氛下，于400℃～550℃退火60～90秒。