[发明专利]低含氧量硅晶体的制备方法无效
| 申请号： | 200810162296.1 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101435105A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 李乔;马远 | 申请（专利权）人： | 浙江碧晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 312300浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含氧量 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种低含氧量硅晶体的制备方法，包括将硅熔液置入反应器内，通过定向凝固法或丘克劳斯基法制备硅晶体，其特征在于：在硅晶体的制备过程中，将保护气体通过硅熔液表面，保护气体为还原性气体或由还原性气体与惰性气体组成的混合气体。
2、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述还原性气体为氢气、甲烷、乙炔、硅烷中的一种或多种。
3、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述惰性气体为氦气、氩气、氮气中的一种或多种。
4、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的保护气体通过单位硅熔液表面积的流量为20～450slpm/m2。
5、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述保护气体在硅熔液表面的压力在600Pa以上，0.6atm以下。
6、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硅晶体为单晶硅晶棒、多晶硅晶棒、多晶硅铸锭中的一种。
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