[发明专利]CPP型磁阻效应元件和磁盘装置

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，是一种具备：分隔层；和以夹着所述分隔层的方式层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层，在该层叠方向上施加检测电流而成的CPP结构的巨磁阻效应元件，即CPP-GMR元件，其特征在于，

第一铁磁层和第二铁磁层以这两层的磁化方向形成的角度对应于外部磁场而相对变化的方式发挥功能，

所述分隔层包含半导体氧化物层，

在构成所述分隔层的全部或一部分的半导体氧化物层与绝缘层相接的位置中，在该半导体氧化物层和该绝缘层之间，插入有含有氮元素的界面保护层。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，所述分隔层构成为具有：由非磁性金属材料形成的第一非磁性金属层和第二非磁性金属层；以及插入该第一非磁性金属层和第二非磁性金属层之间的半导体氧化物层。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，所述分隔层由半导体氧化物层构成。

4.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，含有所述氮元素的界面保护层是从SiN、SiON、AlON、BN、BON的组中选定的至少一种。

5.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，所述界面保护层中含有的氮元素在构成界面保护层的阴离子中含有10at％以上。

6.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，所述界面保护层的厚度是0.3nm以上。

7.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，所述半导体氧化物层是从Zn、In、Sn、Ti、Ga、Cd、Pb、InZn、InAg、InGa、ZnSn、ZnGa、CdSn、CdGe、CaAl、GaInZn、GaInMg的各自的氧化物中选定的至少一种。

8.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，构成所述分隔层的半导体氧化物层的厚度为0.3～5nm。

9.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其中，所述第一和第二非磁性金属层分别是从Cu、Zn、Au、Ag中选择的至少一种。

10.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其中，所述第一和第二非磁性金属层的厚度分别是0.3～2.0nm。

11.一种薄膜磁头，其特征在于，具有：

与记录介质相向的介质相向面；

为了检测来自所述记录介质的信号磁场，配置在上述介质相向面附近的权利要求1所述的磁阻效应元件；以及

为了在上述磁阻效应元件的层叠方向上使电流流动的一对电极。

12.一种磁头悬架组件，其特征在于，具备：

包含权利要求11所述的薄膜磁头、以与记录介质相向的方式配置的滑块；以及

弹性地支撑上述滑块的悬挂。

13.一种磁盘装置，其特征在于，具备：

包含权利要求11所述的薄膜磁头、以与记录介质相向的方式配置的滑块；以及

支撑上述滑块并且决定相对于上述记录介质的位置的定位装置。