[发明专利]涂敷处理方法、涂敷处理装置和计算机可读取的存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及基板的涂敷处理方法、基板的涂敷处理装置和计算机可 读取的存储介质。

背景技术

例如，在半导体器件的制造工艺的光刻工序中，依次进行例如在晶 片上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜曝光 成预定的图形的曝光处理、对曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影处理 等，在晶片上形成预定的抗蚀剂图形。

在上述的抗蚀剂涂敷处理中，较多地采用所谓的旋转涂敷法：从喷 嘴向高速旋转的晶片的中心部供给抗蚀剂液，利用离心力使抗蚀剂液在 晶片上扩散，从而在晶片的表面上涂敷抗蚀剂液。在该旋转涂敷法中， 作为均匀地涂敷抗蚀剂液的方法，提出如下方法：例如向高速旋转的晶 片供给抗蚀剂液，然后，暂时使晶片的旋转减速，使晶片上的抗蚀剂液 平坦化，然后再次提高晶片的旋转，使晶片上的抗蚀剂液干燥(参照日 本国特开2007-115936号公报)。

但是，伴随着半导体器件电路的进一步微细化，抗蚀剂涂敷处理中 的抗蚀剂膜的薄膜化不断发展。另外，抗蚀剂液价格高，需要尽可能减 少使用量。从该观点也考虑减少抗蚀剂液对晶片的供给量，但是，此时 若如以往那样向高速旋转的晶片的中心供给抗蚀剂液，则有时抗蚀剂液 向晶片的中心向外侧方向急剧扩散，在晶片的中心附近能够形成条纹状 的涂敷斑。当形成这种涂敷斑时，例如曝光处理中焦点偏移，最终在晶 片上无法形成所希望尺寸的抗蚀剂图形。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的是在使用旋转涂敷法将抗 蚀剂液等的涂敷液涂敷到晶片等的基板上的情况下，即使涂敷液的涂敷 量为少量，也能够将涂敷液均匀地涂敷到基板面内。

为了实现上述目的，本发明是基板的涂敷处理方法，具有：第一工 序，在使基板旋转的状态下，从喷嘴向该基板的中心部喷出涂敷液，将 涂敷液涂敷在基板上；第二工序，在第一工序之后，对基板的旋转减速， 使基板持续旋转；第三工序，在第二工序之后，对基板的旋转加速，使 基板上的涂敷液干燥。并且，在所述第一工序之前，以第一速度的恒定 速度使基板旋转，在所述第一工序中，使在开始前为所述第一速度的基 板的旋转逐渐加速，使得在开始后其速度连续地变动，在结束时，使基 板的旋转的加速度逐渐减少，使基板的旋转收敛为比所述第一速度快的 第二速度。

如本发明那样，通过在第一工序中使基板的旋转速度连续地变动， 从而即使在减少涂敷液的涂敷量的情况下，也能够均匀地对涂敷液进行 涂敷。因此，在基板上能够形成更薄的涂敷膜。另外，也能够降低成本。

所述第一工序中的由喷嘴进行的涂敷液的喷出继续进行到所述第 二工序的中途，在结束该涂敷液的喷出时，通过喷嘴的移动使涂敷液的 喷出位置从基板的中心部偏移也可以。

所述喷嘴的移动可以与所述第一工序的结束同时开始。并且，在这 里所说的“同时”也包括第一工序结束时前后0.5秒以内的几乎同时的情 况。

本发明是基板的涂敷处理装置，具有：旋转保持部，保持基板并使 其旋转；喷嘴，向基板喷出涂敷液；控制部，控制所述旋转控制部和所 述喷嘴的动作。并且，该控制部执行第一工序、第二工序和第三工序， 该第一工序在使基板旋转的状态下，从喷嘴向该基板的中心部喷出涂敷 液，将涂敷液涂敷在基板上，该第二工序在第一工序之后对基板的旋转 减速，使基板持续旋转，该第三工序在第二工序之后对基板的旋转加速， 使基板上的涂敷液干燥；并且，控制所述旋转保持部和所述喷嘴的动作， 使得在所述第一工序之前，以第一速度的恒定速度使基板旋转，在所述 第一工序中，使在开始前为所述第一速度的基板的旋转逐渐加速，使得 在开始后其速度连续地变动，在结束时，使基板的旋转的加速度逐渐减 少，使基板的旋转收敛为比所述第一速度快的第二速度。

该涂敷处理装置还具有使所述喷嘴从基板中心部的上方沿基板的 径向移动的喷嘴移动机构，所述控制部继续进行所述第一工序中的由喷 嘴进行的涂敷液的喷出，直到所述第二工序的中途，在该第二工序中使 涂敷液的喷出结束时，使喷嘴移动而使涂敷液的喷出位置从基板的中心 部偏移。

所述喷嘴的移动可以与所述第一工序的结束同时开始。

根据另一观点的本发明，提供一种计算机可读取的存储介质，为利 用涂敷处理装置执行上述涂敷处理方法，存储在控制该涂敷处理装置的 控制部的计算机上动作程序。

附图说明