[发明专利]半导体基板的切断方法

说明书

本申请是申请日为2003年9月11日、申请号为03825518.9(PCT/JP2003/011624)、发明名称为半导体基板的切断方法的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及在半导体器件的制造工序等中用于切断半导体基板的半导体基板的切断方法。

背景技术

作为至今已有的这种技术，在日本特开2002-158276号专利公报和特开2000-104040号专利公报中记载了下列那样的技术。首先，在半导体晶片的背面上经过芯片接合(die bonding)树脂层贴附粘接薄片，在将半导体晶片保持在该粘接薄片上的状态中用刀片切断半导体晶片得到半导体晶片。而且，当拾起粘接薄片上的半导体芯片时，使芯片接合树脂与各个半导体芯片一起从粘接薄片剥离。因此，可以省略在半导体芯片背面上涂敷粘合剂等的工序，将半导体芯片粘合在引线框上。

但是，在上述那样的技术中，当用刀片切断保持在粘接薄片上的半导体晶片时，需要一方面不切断粘接薄片，另一方面要确实地切断存在于半导体晶片和粘接薄片之间的芯片接合树脂层。因此，在这种情形中用刀片切断半导体晶片，应该要特别慎重。

发明内容

因此，本发明就是鉴于这种问题提出的，本发明的目的是提供能够与芯片接合树脂层一起高效率地切断半导体基板的半导体基板的切断方法。

为了达到上述目的，与本发明有关的半导体基板的切断方法的特征是它包括通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板的内部而照射激光，在半导体基板的内部形成由多光子吸收产生的改质区域，利用该改质区域形成预定切断部的工序；和在形成预定切断部的工序后，通过使薄片扩张，沿预定切断部切断半导体基板和芯片接合树脂层的工序。

在该半导体基板的切断方法中，因为通过使聚光点调整到半导体基板内部而照射激光，在半导体基板的内部发生称为多光子吸收的现象，形成改质区域，所以能够利用该改质区域，沿应该切断半导体基板的所需的预定切断线在半导体基板的内部形成预定切断部。这样，当在半导体基板的内部形成预定切断部时，将预定切断部作为起点用比较小的力沿半导体基板的厚度方向发生裂缝。因此，当使贴附在半导体基板上的薄片扩张时，能够沿预定切断部高精度地切断半导体基板。这时，因为切断了的半导体基板的相对向的切断面最初处于粘附状态，伴随着薄片的扩张而分离，所以也沿预定切断部切断存在于半导体基板和薄片之间的芯片接合树脂层。因此，与残留薄片，用刀片切断半导体晶片和芯片接合树脂层的情形比较，可以效率远高得多地沿预定切断部切断半导体基板和芯片接合树脂层。而且，因为切断了的半导体基板的相对向的切断面最初相互粘附着，所以切断了的各个半导体基板和切断了的各个芯片接合树脂层具有大致相同的外形，也能够防止芯片接合树脂从各半导体基板的切断面露出来。

又，与本发明有关的半导体基板的切断方法的特征是它包括通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板内部，在聚光点中的峰值功率密度为1×10⁸(W/cm²)以上并且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光，在半导体基板内部形成包含熔融处理区域的改质区域，利用该包含熔融处理区域的改质区域形成预定切断部的工序；和在形成预定切断部的工序后，通过使薄片扩张，沿预定切断部切断半导体基板和芯片接合树脂层的工序。

在这种半导体基板的切断方法中，在形成预定切断部的工序中，使聚光点调整到半导体基板内部，在聚光点中的峰值功率密度为1×10⁸(W/cm²)以上并且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光。因此，通过多光子吸收局部地加热半导体基板内部。通过该加热在半导体基板内部形成熔融处理区域。因为该熔融处理区域是上述改质区域的一个例子，所以即便用这种半导体基板的切断方法，与残留薄片，用刀片切断半导体晶片和芯片接合树脂层的情形比较，也可以效率远高得多地沿预定切断部切断半导体晶片和芯片接合树脂层。