[发明专利]半导体器件制造过程中控制多晶硅薄层电阻的方法无效
| 申请号： | 200810161227.9 | 申请日： | 2008-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101393849A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 崔兰顺 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 过程 控制 多晶 薄层 电阻 方法 | ||
1.在半导体器件的制造过程中一种用于控制多晶硅的薄层电阻的方法，所述方法包括：
检测在将要形成于半导体晶片上的单元版图内N-离子注入区和电阻区是否彼此重叠；
如果发现这样的重叠，则在所述版图上所述N-离子注入区存在的区域中产生LDD虚拟区；
检测在所述版图内P-离子注入区和电阻区是否彼此重叠；以及
如果发现这样的重叠，则在所述版图上所述P-离子注入区存在的区域中产生LDD虚拟区。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多晶硅包括非自对准金属硅化物多晶硅。
3.在半导体器件的制造过程中一种用于控制多晶硅的薄层电阻的方法，所述方法包括：
从I/O单元库中提取单元列表；
检索每个单元的所有树形子单元以检测离子注入区和电阻区是否彼此重叠；以及
如果发现这样的重叠，则在所述离子注入区存在的区域中产生LDD虚拟区。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，检索每个单元的所有树形子单元包括：
检索每个单元的所有树形子单元以检测N-离子注入区和所述电阻区是否彼此重叠；以及
检索每个单元的所有树形子单元以检测P-离子注入区和所述电阻区是否彼此重叠。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，产生所述LDD虚拟区包括：
如果发现这样的重叠，则在所述N-离子注入区存在的区域中产生所述LDD虚拟区；以及
如果发现这样的重叠，则在所述P-离子注入区存在的区域中产生所述LDD虚拟区。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，产生所述LDD虚拟区包括：
将相应于这种重叠的所述检测的指示添加到重叠列表；以及
在所述离子注入区存在的区域中产生所述LDD虚拟区。
7.根据权利要求3所述的方法，其中，通过从所述离子注入区复制产生所述LDD虚拟区。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在掩膜数据准备(MDP)产生之前，实施所述LDD虚拟区的产生。
9.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多晶硅包括非自对准金属硅化物多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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