[发明专利]C波段新型负磁导率材料微带天线

权利要求书

1.一种C波段新型负磁导率材料微带天线，组成包括：介质基板、金属辐射贴片、金属接地板、SMA同轴接头，其主要特征是在普通微带天线的贴片和接地板周围双面刻蚀周期性排列的金属树枝状结构单元阵列，两面的树枝状结构严格对齐。

2.如权利要求1所述的C波段新型负磁导率材料微带天线，其特征是用于微带天线的金属树枝状结构单元的几何参数为：一级分支长度a＝2.7mm～3.3mm，二级分支长度b＝1.3mm～1.7mm，三级分支长度c＝1.3mm～1.7mm，晶格常数d＝13mm～15.99mm，相邻各级分支间夹角为θ₁＝θ₂＝θ₃＝45°，线宽为w＝0.5mm～0.8mm，金属厚度t＝0.01mm～0.03mm。

3.如权利要求1所述的C波段新型负磁导率材料微带天线，其特征是所用介质基板为厚度为0.8mm～1.5mm的聚四氟乙烯材料或环氧玻璃布材料；所用金属材料为铜。

4.如权利要求1所述的C波段新型负磁导率材料微带天线，其特征在于制作过程包括：

(1)采用电路板刻蚀技术，在介质基板两侧分别刻蚀出金属接地板和金属辐射贴片，并且在金属辐射贴片和金属接地板周围的空白处双面刻蚀周期性排列的金属树枝状结构单元阵列，两面的树枝状结构严格对齐。

(2)选取馈点，并在馈点处用SMA同轴接头连接金属辐射贴片和金属接地板。