[发明专利]基于片式压敏电阻的纳秒级静电放电电流试验设备

说明书

技术领域

本发明属于片式压敏电阻电气性能测试装置，特别涉及一种基于片式压敏电阻的纳秒级静电放电电流试验设备。

背景技术

随着科学技术的发展和人类社会的进步，高分子材料、微电子器件和电爆装置广泛应用于各个领域，静电放电电流造成的危害日益受到人们的关注。纳秒级静电放电(ESD，ElectroStatic Discharg)不仅可以造成电爆装置和易燃、易爆气体意外的燃烧、爆炸，而且可以使电子设备受到干扰，造成意外事故。静电放电曾使机毁人亡、火箭发射失败、卫星出现故障。纳秒级静电放电电流还使人体遭受电击引发二次危害。为此，纳秒级静电放电电流防护工程的研究已成为工业发达国家十分重视的一个研究领域。

欧洲从1996年就开始对电子设备抗静电冲击的能力制订了标准，未达标的产品在欧洲很难销售。半导体芯片制造商对ESD问题也倾注了很高的热情。我国自改革开放以来，对有关行业发生的静电危害进行了深入的调查分析，开展了大量的研究工作。在静电防护理论与技术研究方面，在静电防护设施和防静电产品研制、生产方面以及静电检测与静电安全管理方面都取得了较大的进展。

片式电感、片式压敏电阻等是新型的电子元器件，主要用于通讯、计算机、汽车电子及消费类电子产品领域。IEC61000-4-2《静电放电抗扰度试验》是IEC1995年颁布的国际标准，是IEC61000-4-X系列标准《试验和测量技术》中的一个部分。由于该标准使用面广、涉及面宽，所以深受各界的重视。根据IEC61000-4-2等同制定的我国国家标准GB/T17626.2-1998《静电放电抗扰度试验》也已问世，并被越来越多的标准所引。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高效率的、高可靠性的且能够在大生产中使用的基于片式压敏电阻的纳秒级静电放电电流试验设备。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：包括计算机管理系统以及由计算机管理系统控制的纳秒级静电放电电流测试设备的控制电路和纳秒级静电放电电流测试设备电流检测电路，纳秒级静电放电控制电路与纳秒级静电电流形成电路相连，表面贴装压敏电阻分别与纳秒级静电放电电流形成电路及纳秒级静电放电试验电流检测电路相连；

所说的纳秒级静电放电电流形成电路包括高频充电电源以及与高频充电电源相连接的储能电容和形成电阻，储能电容通过形成电阻与表面贴装压敏电阻相连，且在储能电容与表面贴装压敏电阻之间还连接有电流传感器，该电流传感器与纳秒级静电放电试验电流检测电路相连。