[发明专利]靶结构和靶保持装置有效

专利信息
申请号: 200810149389.0 申请日: 2008-09-25
公开(公告)号: CN101397650A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 石桥启次;醍醐佳明 申请(专利权)人: 佳能安内华股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/06
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 结构 保持 装置
【权利要求书】:

1.一种靶结构,其包括:

靶保持部,其由金属材料形成;和

镓或含镓靶材,其被置于所述靶保持部上,

其中,在所述靶保持部的形成与所述镓或含镓靶材的界面的表面上形成有包含碳的薄膜,该薄膜与熔化状态下的所述镓或含镓靶材成不大于30°的接触角。

2.根据权利要求1所述的靶结构,其特征在于,包含碳的所述薄膜是金刚石状碳的薄膜。

3.根据权利要求1所述的靶结构,其特征在于,所述保持部由铜形成。

4.一种包括权利要求1所述的靶结构的溅射装置。

5.一种靶保持结构,其包括:

保持部,其用于保持镓或含镓靶材;和

覆膜,其形成在所述保持部的形成与所述镓或含镓靶材的界面的表面上,其中,

所述覆膜由与熔化状态下的镓或含镓材料成不大于30°的接触角的包含碳的材料形成。

6.一种靶保持结构,其包括:

保持部,其用于保持镓或含镓靶材;和

覆膜,其包括金刚石状碳并且形成在所述保持部的形成与所述镓或含镓靶材的界面的表面上。

7.一种制备镓沉积物的方法,其包括使用权利要求1所述的靶结构由溅射工艺来沉积镓或含镓膜的步骤。

8.一种制备镓沉积物的方法,其包括使用权利要求5所述的靶保持结构由溅射工艺来沉积镓或含镓膜的步骤。

9.一种制备镓沉积物的方法,其包括使用权利要求6所述的靶保持结构由溅射工艺来沉积镓或含镓膜的步骤。

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