[发明专利]降低存储器在自我刷新模式中的电流的方法无效
| 申请号： | 200810149369.3 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101377951A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 袁德铭 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 存储器 自我 刷新 模式 中的 电流 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低存储器在自我刷新模式中的电流的方法，该存储器包含有一字元线驱动电路，该字元线驱动电路包含有一晶体管，该晶体管包含有一控制端、一第一端以及一耦接于一字元线的第二端，该方法包括以下步骤：
在该存储器进入该自我刷新模式之后：
在自我刷新操作时段中，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于一第一数值；以及
于一非自我刷新操作时段中，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于小于该第一数值的一第二数值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于小于该第一数值的该第二数值的步骤包含有：
降低该晶体管的该控制端的电压准位；以及
使该晶体管的该第二端的电压准位维持不变。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于小于该第一数值的该第二数值的步骤包含有：
提高该晶体管的该第二端的电压准位；以及
使该晶体管的该控制端的电压准位维持不变。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于小于该第一数值的该第二数值的步骤包含有：
降低该晶体管的该控制端的电压准位；以及
提高该晶体管的该第二端的电压准位。
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