[发明专利]抛光液无效
| 申请号： | 200810149126.X | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101397481A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 斋江俊之;上村哲也 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈 平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：
季铵阳离子；
腐蚀抑制剂；
在末端具有磺基的聚合物化合物；
无机粒子；和
有机酸；其中
所述抛光液的pH值在1至7的范围内。
2.权利要求1所述的抛光液，其中所述季铵阳离子是由以下的式(1)或式(2)表示的阳离子：
式(1)
式(2)
其中，在式(1)和式(2)中，R1至R6各自独立地表示含有1至20个碳原子的烷基、链烯基、环烷基、芳基或芳烷基；R1至R6中的两个可以彼此结合以形成环结构；并且X表示含有1至10个碳原子的亚烷基、亚链烯基、亚环烷基、亚芳基，或通过将这些基团中的至少两个组合而获得的基团。
3.权利要求1所述的抛光液，其中所述聚合物化合物为含有苯环的聚合物化合物。
4.权利要求1所述的抛光液，其中所述无机粒子选自二氧化硅粒子、氧化铝粒子、二氧化铈粒子、氧化锆粒子、二氧化钛粒子和其两种以上的组合。
5.权利要求1所述的抛光液，其中相对于所述抛光液的总量，所述无机粒子的浓度为0.5至15质量％。
6.权利要求1所述的抛光液，其中将被抛光的所述阻挡层包含选自Ta、TaN、Ti、TiN、Ru、CuMn、MnO2、WN、W和Co中的至少一种材料。
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