[发明专利]保护带剥离方法及采用该保护带剥离方法的装置有效
申请号: | 200810148856.8 | 申请日: | 2008-09-27 |
公开(公告)号: | CN101404241A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 山本雅之;宫本三郎 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 剥离 方法 采用 装置 | ||
技术领域
本发明涉及这样的保护带剥离方法及采用该该保护带剥离 方法的装置,即,在利用粘贴构件将剥离带的非粘接面按压在 粘贴于半导体晶圆表面的保护带的表面上的同时,将剥离带粘 贴,通过剥离该剥离带,将保护带与剥离带一体地自半导体晶 圆的表面剥离。
背景技术
作为将半导体晶圆(以下简称作“晶圆”)加工成薄型的方 法,存在磨削或研磨等机械方法、或者利用蚀刻的化学方法等。 另外,在利用这些方法来加工晶圆时,为了保护形成有配线图 案的晶圆表面,在其表面粘贴有保护带。粘贴有保护带而被研 磨处理后的晶圆通过切割胶带从背面粘接保持于环形架。之后, 自保持于环形架的晶圆的表面剥离除去保护带。
作为剥离除去该保护带的方法公知有如下方法:通过辊状 的粘贴构件将剥离带粘贴于保护带的表面上,通过剥离该剥离 带,将剥离带与保护带一体地自晶圆表面剥离除去而卷成卷(例 如,参照日本特开平5-63077号公报)。
但是,上述以往的保护带剥离方法存在如下问题。
在保护带相对于晶圆的粘着性较高的情况下,存在即使剥 离粘贴于保护带的剥离带,也处于难以在晶圆的周缘部分形成 作为保护带的剥离开端的折回部位的状况。因而,存在无法剥 离保护带这样的问题。
另外,在保护带切断过程中被切断的保护带的切断面为从 保护带的表面到晶圆的粘着面而宽度变宽的、倾斜的面(台形 状)。因此存在这样的问题,即,由于难以使剥离带紧贴于保护 带的周缘,因此,剥离时难以施加应力,无法高精度地将其剥 离。
可以通过辊状的粘贴构件有力地按压剥离带来实现剥离带 紧贴于保护带的周缘。但是,在提高按压力的情况下,产生损 伤被加工成薄型的晶圆这样的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种保护带剥离方法及采用该保护 带剥离方法的装置,即,将剥离带粘贴在半导体晶圆表面上所 粘贴的保护带上,通过剥离该剥离带,可以不损伤半导体晶圆 且高精度地将保护带与剥离带一体剥离。
为了形成作为保护带的剥离开端的折回部位(剥离部位), 发明人等进行了如下实验:使顶端尖锐的剥离构件不与晶圆接 触地作用于保护带的周缘,预先剥离保护带的一部分而形成剥 离部位之后,将剥离带粘贴于保护带,以该剥离部位为起点来 剥离保护带。通过该实验,可以确认提高了保护带的剥离精度。
但是,可知在使剥离构件作用于保护带端部时发生了如下 问题。作为剥离构件的作用,产生如下新问题:将其顶端卡在 或刺入保护带时,受到该按压力等的影响而损坏晶圆。
为了解决该问题,发明人等进行了深入研究,结果,着眼 于作用于保护带的剥离构件的高度、以及将剥离带粘贴于保护 带时粘贴构件的高度,根据保护带的表面高度反复进行保护带 的剥离实验。结果获得这样的见解,即,通过根据剥离保护带 时的条件分别控制这些构件的高度,不损伤半导体晶圆地、高 精度地将保护带与剥离带一体剥离。
本发明为了达到这样的目的,采用如下的构造。
根据本发明的半导体晶圆的缺陷位置检测方法,有一种保 护带剥离方法,该保护带剥离方法在利用粘贴构件从剥离带的 非粘接面侧将剥离带按压在粘贴于半导体晶圆表面的保护带上 的同时、将剥离带粘贴于该保护带上,通过剥离该剥离带,将 保护带与剥离带一体地自半导体晶圆表面剥离,上述方法包括 以下过程:
高度检测过程,对粘贴在半导体晶圆上的保护带的剥离带 粘贴开始位置以及表面高度进行检测,该半导体晶圆载置保持 于剥离台上;
运算过程,算出第1动作量及第2动作量,该第1动作量是 基于上述保护带表面高度的检测信息使剥离构件移动,直到将 顶端尖锐的剥离构件卡在剥离带粘贴位置的保护带周缘而形成 作为剥离起点的剥离部位为止的动作量,该第2动作量是使粘 贴构件接近保护带,直到使缠挂于上述粘贴构件的剥离带接触 于保护带为止的动作量;
第1剥离过程,基于上述第1动作量将剥离构件卡在保护带 周缘,剥离保护带周缘部分的至少一部分而形成剥离部位;
粘贴过程,在使剥离了上述保护带的周缘部分的剥离构件 退避之后,基于第2动作量,在以粘贴构件将剥离带按压于保 护带的同时、使半导体晶圆和粘贴构件沿着保护带表面方向相 对移动,从而将剥离带粘贴于保护带;
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造