[发明专利]用于对非易失性存储单元进行不可逆编程和读取的方法和设备

权利要求书

1.一种用于对非易失性存储设备（1；200）中的非易失性存储单元进 行编程的方法，其中所述非易失性存储设备包括第一非易失性存储器（3） 和第二非易失性存储器（5），该方法包括：

从所述第一非易失性存储器（3）选择非易失性存储单元（21a），该非 易失性存储单元（21a）能在第一状态和第二状态之间进行可逆转变；以及

向所述非易失性存储单元（21a）施加不可逆编程信号（I_IRP），从而使 得所述非易失性存储单元（21a）响应于所述不可逆编程信号（I_IRP）而不能 在所述第一状态和所述第二状态之间转变，当所述非易失性存储设备（1； 200）第一次被加电时，将存储在所述非易失性存储单元（21a）中的数据复 制到所述第二非易失性存储器（5）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述不可逆编程信号（I_IRP）包括 不可逆编程电流。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述不可逆编程电流（I_IRP）的范 围为用于所述非易失性存储单元（21a）的最大可逆编程电流（I₁）的150% 到200%。

4.根据上述任一项权利要求所述的方法，其中施加不可逆编程信号 （I_IRP）包括使所述非易失性存储单元（21a）过热。

5.一种用于对非易失性存储设备（1；200）中的非易失性存储单元进 行读取的方法，其中所述非易失性存储设备包括第一非易失性存储器（3） 和第二非易失性存储器（5），该方法包括：

评定（100、110、120、140、150、160；300-340）所述第一非易失性 存储器（3）中的非易失性存储单元（21a、21b）是否能在第一状态和第二 状态之间转变；

如果非易失性存储单元（21a）不能在所述第一状态和所述第二状态之 间转变（130；360），则确定第一不可逆逻辑值“1”与该非易失性存储单元 （21a）相关联；以及

如果非易失性存储单元（21b）能在所述第一状态和所述第二状态之间 转变（170；350），则确定第二不可逆逻辑值“0”与该非易失性存储单元（21b） 相关联，

其中当所述非易失性存储设备（1；200）第一次被加电时，存储在被确 定为不能在所述第一状态和所述第二状态之间转变的非易失性存储单元 （21a）中的数据的第一集合和存储在被确定为能够在所述第一状态和所述 第二状态之间转变的非易失性存储单元（21b）中的数据的第二集合将被复 制到所述第二非易失性存储器（5）。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述评定包括：

使非易失性存储单元（21a、21b）经过第一可逆编程操作（100）以编 入对应于高电阻、低电流状态的第一值“0”；

对非易失性存储单元（21a、21b）进行第一读取（110）；

确定第一读取的输出信号（I_C0）是否与第一参考信号（I_R0）处于第一关 系（120）；以及

如果所述第一读取的输出信号（I_C0）不与所述第一参考信号（I_R0）处于 第一关系，则判定非易失性存储单元（21a、21b）不能在所述第一状态和所 述第二状态之间转变（120、130）。