[发明专利]一种行波管用多级降压收集极无效
申请号: | 200810148079.7 | 申请日: | 2008-12-29 |
公开(公告)号: | CN101447384A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 宫玉彬;黄勇飞;岳玲娜;魏彦玉;王文祥 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01J23/027 | 分类号: | H01J23/027;H01J25/34 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 行波 管用 多级 降压 收集 | ||
技术领域
本发明属于微波技术中的电真空器件,特别是一种与行波管配套用多级降压收集极。
背景技术
与行波管配套用多级降压收集极,包括收集极壳体、环形设于壳体内的各级电极及相应的电源引出线、设于各电极与壳体之间的陶瓷绝缘体以及设于绝缘体内的电源线引出(管)孔、位于壳体后部且带电源线引出孔的绝缘体后盖。此类多级降压收集极是将经过高频作用后的电子按速度分类、分别进行收集,使动能大的电子打到低电位电极上,动能小的电子打到较高电位电极上,从而使电子到达相应电极表面时速度都接近于零。这样,电子注的剩余能量就回交给了电源,从而提高了行波管的总效率;此外,还可以降低对冷却系统的要求,进而降低行波管成本和维护费用。根据多级降压收集极的原理,收集极各电极需要外接不同电压的电源,其电压等级为数千伏,因而各电极均需设置独立的外接电源线,并在收集极内各电极及其电源引线与其它电极之间亦需进行绝缘处理,且绝缘性能的好坏直接影响到行波管性能及其使用寿命。常规2级及其以上级(别)降压收集的各电极电源引线的设置方式为:电源引线自两电极之间的间隙沿电极径向方向引至陶瓷绝缘体、再经由绝缘体内的电源线引出孔沿收集极轴线方向从收集极后盖引出。为了适应此类电极电源线的引出方式,其绝缘体需采用具有一定强度的陶瓷类绝缘体,且陶瓷绝缘部件及对应段壳体必须制成各极分立的散件,装配时再组装成整体,因而整套绝缘体及其壳体不但形状复杂,而且加工工艺性差、装配难度大,对绝缘材料的适应性差;同时因绝缘层内需设电源线引出管孔、亦将导致收集极体积增大,而有碍行波管在有体积、重量限制领域的应用、如空间等领域;附图4即为“采用小型多级降压收集极的行波管”(NASATechnical Paper,1987)中所公开的多级降压收集极结构示意图。
发明内容
本发明的目的是针对背景技术存在的弊端,研究设计一种行波管用多级降压收集极,以简化多级降压收集极结构,降低加工、装配难度,减小体积及重量;达到结构简单、紧凑,加工及装配工艺简便,体积较小、重量较轻,对绝缘材料的适应性强,应用范围广等目的。
本发明的解决方案是将前端电极的电源引线沿轴向直接从后端电极体内引出,在电源引线与各电极之间设置绝缘管;而将与原各电极对应的散件式收集极壳体及绝缘体改进设计成结构简单的整体式筒形壳体及筒形绝缘体,同时将最后一级电极由环形设置改为中心设置、即直接设于绝缘体后盖内壁中心位置,从而实现其目的。因此,本发明包括壳体、设于壳体内的各电极及其电源引出线、设于各电极与壳体之间的绝缘体以及位于壳体内后部且带电源线引出孔的绝缘体后盖,前端盖,关键在于壳体及设于各电极与壳体之间的绝缘体均为整体式筒形壳体及筒形绝缘体,最后一级电极直接设于绝缘体后盖内壁中心位置,其余各后端电极体内均设有用于前端电极电源线引出的带绝缘导管的电源线引出孔,各电极与筒形绝缘体内壁紧固连接,而筒形绝缘体则与壳体内壁固定连接,绝缘体后盖及前端盖分别与壳体紧固密封成一体,各电极的电源引出线则通过电源线引出孔密封式引出。
上述整体式筒形绝缘体为陶瓷类绝缘体。
本发明由于将收集极壳体及设于各电极与壳体之间的绝缘体均设计成结构简单的整体式筒形体,同时将最后一级电极直接设于绝缘体后盖内壁中心位置,并在其余各后端的电极体内设置带绝缘导管的电源线引出孔。从而具有结构简单、紧凑,加工及装配工艺简便,对绝缘材料的适应性强,体积小、重量轻,适用范围较广等特点。
附图说明
图1为本发明及实施例1多级降压收集极结构示意图(A-A视图);
图2为实施例1多级降压收集极电源引出线孔分布示意图(图1的俯视图);
图3为实施例2多级降压收集极结构示意图;
图4为背景技术多级降压收集极结构示意图。
图中:1.收集极壳体,2.绝缘筒,3.前端盖,4-1.第1级电极,4-2.第2级电极,4-3.第3级电极,4-4.第4级电极,5.(电源引出线用)绝缘导管,6.电源引出线,7.绝缘后盖,7-1.电源线引出孔,7-2.电极座。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810148079.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。