[发明专利]一种制造第一基板及在制造过程中回收第二基板的方法有效
| 申请号： | 200810147013.6 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101651090A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;徐文庆;何思桦 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰硅晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 215300江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 第一 过程 回收 第二 方法 | ||
1.一种制造第一基板的方法，该方法包含下列步骤：
制备一第二基板；
通过一原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)制程形成一缓冲层于该第二基板上；
形成一半导体材料层于该缓冲层上，该缓冲层辅助该半导体材料层的形成并且该缓冲层作为一剥离层；以及
通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层并使该半导体材料层、该第二基板保持完整，以使该第二基板脱离该半导体材料层，其中该半导体材料层作为该第一基板。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该缓冲层由氧化锌或氧化锌镁形成。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该半导体材料层由氮化镓、氮化铟镓和氮化铝镓中的其中一种材料形成。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该蚀刻液为氢氟酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液和磷酸溶液中的一种溶液。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，该半导体材料层通过一有机金属化学气相沉积制程或一氢化物气相沉积制程形成。
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，该半导体材料层的厚度在1μm至500μm之间。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该缓冲层的厚度在10nm至500nm之间。
8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该第二基板由蓝宝石、硅、SiC、GaN、ZnO、ScAlMgO4、YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia)、SrCu2O2、LiGaO2、LiAlO2和GaAs中的其中一种材料形成。
9.一种在制造第一基板的过程中回收第二基板的方法，一缓冲层通过一原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)制程形成于该第二基板上，一半导体材料层形成于该缓冲层上，该缓冲层辅助该半导体材料层的形成并且作为一剥离层，该方法包含下列步骤：
通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层并使该半导体材料层、该第二基板保持完整，以使该第二基板脱离该半导体材料层并且进一步回收该第二基板，其中该半导体材料层作为该第一基板。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该缓冲层由氧化锌或氧化锌镁形成。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该半导体材料层由氮化镓、氮化铟镓和氮化铝镓中的其中一种材料形成。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该蚀刻液为氢氟酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液和磷酸溶液中的一种溶液。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该半导体材料层由一有机金属化学气相沉积制程或一氢化物气相沉积制程形成。
14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该半导体材料层的厚度在1μm至500μm之间。
15.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该缓冲层的厚度在10nm至500nm之间。
16.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该第二基板由蓝宝石、硅、SiC、GaN、ZnO、ScAlMgO4、YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia)、SrCu2O2、LiGaO2、LiAlO2、GaAs中的其中一种材料形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
