[发明专利]硅的捆包方法以及捆包体

说明书

技术领域

本发明涉及一种以在制造单晶硅时作为熔化原料而使用的多晶硅作为主要捆包对象的硅的捆包方法以及捆包体。

背景技术

作为制造单晶硅的方法之一公知有着切克劳斯基单晶拉制法(以下，称为CZ法)。该CZ法具有能够在无转移或者晶格缺陷极少的状态下容易地获得大直径、高纯度的硅单晶的优点。

在CZ法中，将超高纯度的多晶硅放入石英坩埚内而用加热炉进行熔解，使由金属线吊下的晶种(硅单晶)与该硅熔液接触，一边使晶种旋转一边慢慢地将其拉起而使硅单晶生长。在此时，为了提高石英坩埚内的容积效率而提高硅单晶的生产性，将切断、粉碎棒状的多晶硅而得到的块状多晶硅高密度地装填。

但是，因为该块状多晶硅是脆性材料，所以切断面的边缘以及破碎面的边缘大多较锐利。因而，被聚乙烯树脂袋等的捆包袋捆包而运输时，尽管使用发泡苯乙烯、发泡罩或者塑料瓦楞板等的缓冲材料，块状多晶硅和捆包袋的表面有时还是会由于振动而互相摩擦、块状多晶硅以及捆包体会细粉化。若这样的块状多晶硅和聚乙烯树脂的粉末与块状多晶硅一起放入上述的石英坩埚内，则由于会在拉起后得到的单晶硅中产生结晶缺陷，所以成为硅单晶的品质恶化的原因。

以往，为了避免这样的来自捆包袋的细粉末的产生，例如在专利文献1中提出了实施真空包装而进行运输以使块状多晶硅与捆包袋密接而块状多晶硅与捆包袋不会互相摩擦的方法。此外，在专利文献2中提出了在捆包块状多晶硅时，管理块状多晶硅和捆包袋的能够接触的面积，从而降低来自捆包袋的细粉末的产生的方法。

专利文献1：特开2002-68725号公报

专利文献2：特开2006-143552号公报

但是，来自块状多晶硅以及捆包袋的细粉末的产生原因中最重要的原因是上述那样的运输中的振动，由于该振动导致块状多晶硅和捆包袋摩擦。因而，采用像专利文献1以及专利文献2那样的方法的情况下，因为无法降低块状多晶硅受到的振动，所以在细粉末产生的抑制上受到限制。此外，通过在运输箱内插入发泡苯乙烯等的缓冲材料可以降低一定程度的振动，但是为了进一步降低振动必须采用大量的发泡苯乙烯，不仅对于使用后的处理产生负担，还存在给环境带来不良影响的问题。

发明内容

本发明是鉴于这样的问题而提出的，其目的在于提供一种硅的捆包方法以及捆包体，能够通过简易的方法抑制以块状多晶硅为主的硅的振动，能够进一步降低由于硅和捆包袋的摩擦导致的细粉末的产生，能够避免硅的品质的降低。

为了解决上述问题，本发明提出了以下方案。

即，本发明的硅用捆包体，是采用多个捆包袋的多层结构的硅用捆包体，其特征在于，上述捆包袋具有底部和多个侧面部，并且上述底部具备底密封部、和该底密封部的上方的折入部，将上述捆包袋的各自的上述折入部错开地层叠上述底部，在捆包体的底部的整个区域上都配置有某个捆包袋的折入部。

捆包袋的底部的折入部是通过折叠形成而成的多层结构，所以与其他的部分相比缓冲性高。在本发明中，在将捆包袋顺次重叠而多层捆包硅时，错开折入部地使底部层叠，使多层结构的捆包体的底部的整个区域上都配置有某个捆包袋的折入部，由此使该底部整个区域都有较高缓冲性。因而，可以均等地分散、吸收向收纳在内部的硅传递的冲击和振动，防止硅和捆包袋互相摩擦，能够抑制细粉末的产生。

此外，即使在捆包袋内产生了硅以及捆包袋的细粉末的情况下，通过在从捆包袋取出硅时将细粉末捕集在折入部的折叠处而将该细粉末留在捆包袋内，能够有效地去除细粉末，所以特别地在捆包对象是多晶硅的情况下能够抑制细粉末混入到进行CZ法的石英坩埚内，能够维持生成的单晶硅的品质。

此外，在本发明的硅用捆包体中，其特征在于，上述捆包袋中，上端部的多余长度部通过将对置的两侧面部重合并多次折叠而形成为带状，将各上述捆包袋的带状折叠部变换方向地配置以使折叠部互相交叉。

因为形成在各自的捆包袋的上端部处的带状的折叠部交叉，所以能够将上端部的缓冲性提高，能够可靠地吸收来自上侧的振动和冲击。

进而，在本发明的硅用捆包体中，其特征在于，上述多个的捆包袋包括分别形成方形的筒状体的内侧袋和外侧袋，并且各袋的上述折入部为，各一对地形成为俯视大致三角形，上述内侧袋以及上述外侧袋的各自的上述折入部以不重叠的方式错开90°地层叠上述底部。