[发明专利]电子装置、薄膜晶体管、显示装置及导体接触工艺

说明书

技术领域

本发明是有关于一种电子装置、薄膜晶体管、显示装置及导体接触工艺，且特别是有关于一种具有多层金属结构的电子装置、薄膜晶体管、显示装置及导体接触工艺。

背景技术

在一般的半导体工艺或液晶显示器的金属化工艺中，一般是选用铝(Al)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钨(W)等金属或其合金做为金属层的材料，其中又以铝为最常用。铝是地球上含量最丰富的金属，其价格便宜且具有多项特点，如电阻系数低、对基板的附着性(adhesion)佳、且蚀刻特性(etchingcharacteristics)好。以常见的开关元件薄膜晶体管为例，就常以铝作为栅极与源/漏极金属层的材质。

然而，若以单层铝作为栅极时，则铝接触大气之后会产生氧化物。当使用蚀刻液进行蚀刻时，所产生的铝氧化物将无法有效地被蚀刻液蚀刻。此外，若以单层铝作为源/漏极，在铝层之上形成铟锡氧化物等氧化物导电层时，铝的表面常会被腐蚀而使铝与氧化物导电层的接触阻抗过大。为了避免产生铝氧化物或是避免铝被腐蚀的问题，通常会在铝层之上形成另一层金属层而形成多层金属的结构。

一般来说，多层金属的结构多以铝与钼(Mo)或是钼合金而形成。以铝与钼或其合金所构成的多层金属结构虽有助于蚀刻工艺的进行，也可降低金属层与氧化物导电层间的阻抗。然而，钼是贵金属材料，其靶材成本比其他金属高出许多。此外，制造薄膜晶体管时，必须进行干式蚀刻工艺形成接触窗，以使氧化物导电层与多层金属结构的漏极接触。此时，钼会受到六氟化硫(SF₆)等蚀刻气体的腐蚀而使氧化物导电层与钼之间仅在所蚀刻出的开口周围形成环状接触。整体而言，铝与钼或其合金所构成的多层金属结构应用于半导体元件或是相关电子装置时，仍有成本无法降低且工艺良率不高的情形。

发明内容

本发明提供一种电子装置，以解决公知的电子装置中多层金属结构的高成本问题。

本发明另提供一种薄膜晶体管，以提升薄膜晶体管的工艺良率。

本发明又提供一种显示装置，其具有低制作成本以及高工艺良率。

本发明更提供一种导体接触工艺，可提高导体接触的良率。

本发明提出一种电子装置以及一种显示装置。此电子装置与此显示装置皆至少具有配置于衬底上的导体图案。此导体图案包括实质纯铝层以及铝镍镧合金层。实质纯铝层配置于衬底上。铝镍镧合金层则配置于实质纯铝层上。

本发明的一实施例的电子装置及显示装置中，上述的铝镍镧合金层中，镍的含量介于0.1wt％～6wt％。

本发明的一实施例的电子装置及显示装置中，上述的铝镍镧合金层中，镧的含量介于0.1wt％～2wt％。

本发明的一实施例的电子装置及显示装置中，更包括氧化物导电层，配置于铝镍镧合金层上，且氧化物导电层与铝镍镧合金层直接接触。此外，氧化物导电层的材质包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。

本发明的一实施例的电子装置及显示装置中，上述的电子装置更包括配置于实质纯铝层之下的导电层，以使实质纯铝层夹于导电层以及铝镍镧合金层之间。其中，导电层的材质包括氮化钼或钼。

本发明的一实施例的电子装置及显示装置中，上述的实质纯铝层之中铝的含量大于等于99.0wt％。

本发明的一实施例的电子装置及显示装置中，上述的铝镍镧合金的阻抗为3-5μΩ-cm。

本发明的一实施例的电子装置及显示装置中，上述的实质纯铝层的厚度与铝镍镧合金层的厚度之间的比例为10∶1。

本发明的一实施例的电子装置及显示装置中，上述的铝镍镧合金层的厚度为200～500

本发明更提出一种薄膜晶体管，其适于配置于基板上。此薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层以及源极与漏极。栅极配置于基板上，且栅极包括第一实质纯铝层以及第一铝镍镧合金层，其中第一实质纯铝层位于第一铝镍镧合金层以及基板之间。栅绝缘层配置于基板上并覆盖栅极。半导体层配置于栅极上方的栅绝缘层上。源极与漏极配置于半导体层上，源极与漏极分别对应于栅极的两侧。

本发明再提出一种薄膜晶体管，其适于配置于基板上。此薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层以及源极与漏极。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置于基板上并覆盖栅极。半导体层配置于栅极上方的栅绝缘层上。源极与漏极配置于半导体层上，源极与漏极分别对应于栅极的两侧。源极与漏极由导电层、第二实质纯铝层以及第二铝镍镧合金层依序迭置所组成，且导电层与半导体层接触。

本发明的一实施例的薄膜晶体管中，上述的第一铝镍镧合金层中，镍的含量介于0.1wt％～6wt％。