[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电泳显示装置，包括像素部分和驱动器IC，所述像素部分包 括：

衬底之上的栅电极；

所述栅电极之上的绝缘膜；

所述栅电极之上的氧化物半导体膜，所述绝缘膜夹在所述栅电极和 所述氧化物半导体膜之间；

沟道保护膜，形成在所述氧化物半导体膜之上；

源电极和漏电极，形成于所述氧化物半导体膜和所述沟道保护膜之 上，其中所述源电极和所述漏电极中的每一个使用金属氮化物而形成，该 金属是钨、钼、铂以及钛中之一；以及

钝化膜，包括至少形成于所述源电极、所述漏电极、所述沟道保护 膜和所述氧化物半导体膜之上的绝缘材料，

其中所述氧化物半导体膜包括基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体，

其中所述绝缘膜包括氧化铝、氮化铝、氧化钛以及氧化锆中之一， 以及

其中所述绝缘材料是氧化铝或氧氮化铝。

2.如权利要求1所述的电泳显示装置，其中所述氧化物半导体膜厚 度为50～200nm。

3.如权利要求1所述的电泳显示装置，还包括接收装置。

4.如权利要求1所述的电泳显示装置，其中所述驱动器IC包括形成 于所述衬底之上的使用氧化物半导体膜的薄膜晶体管。

5.一种电泳显示装置，包括像素部分和驱动器IC，所述像素部分包 括：

衬底之上的栅电极；

所述栅电极之上的绝缘膜；

所述栅电极之上的氧化物半导体膜，所述绝缘膜夹在所述栅电极和 所述氧化物半导体膜之间；

沟道保护膜，形成在所述氧化物半导体膜之上；

源电极和漏电极，形成于所述氧化物半导体膜和所述沟道保护膜之 上，其中所述源电极和所述漏电极中的每一个包括：

与所述氧化物半导体膜的上表面接触的钛膜；以及

所述钛膜上的包括铝或铝合金的导电膜；以及

钝化膜，包括至少形成于所述源电极、所述漏电极、所述沟道保护 膜和所述氧化物半导体膜之上的绝缘材料，

其中所述氧化物半导体膜包括基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体，

其中所述绝缘膜包括氧化铝、氮化铝、氧化钛以及氧化锆中之一， 以及

其中所述绝缘材料是氧化铝或氧氮化铝。

6.如权利要求5所述的电泳显示装置，还包括接收装置。

7.如权利要求5所述的电泳显示装置，其中所述驱动器IC包括形成 于所述衬底之上的使用氧化物半导体膜的薄膜晶体管。

8.一种电泳显示装置，包括像素部分和驱动器IC，所述像素部分包 括：

衬底之上的栅电极；

所述栅电极之上的绝缘膜；

所述栅电极之上的氧化物半导体膜，所述绝缘膜夹在所述栅电极和 所述氧化物半导体膜之间；

源电极，形成于所述氧化物半导体膜之上并通过夹在所述源电极和 所述氧化物半导体膜之间的n型氧化物半导体层与所述氧化物半导体膜 电接触；

漏电极，形成于所述氧化物半导体膜之上并通过夹在所述漏电极和 所述氧化物半导体膜之间的n型氧化物半导体层与所述氧化物半导体膜 电接触；以及

钝化膜，包括至少形成于所述源电极、所述漏电极和所述氧化物半 导体膜之上的绝缘材料，

其中所述钝化膜至少与所述源电极和所述漏电极的上表面以及所述 源电极与所述漏电极之间的氧化物半导体膜的上表面直接接触，

其中所述氧化物半导体膜包括基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体，

其中所述源电极和所述漏电极中的每一个使用金属或金属氮化物而 形成，该金属是钨、钼、铂以及钛中之一，

其中所述绝缘膜包括氧化铝、氮化铝、氧化钛以及氧化锆中之一， 以及

其中所述绝缘材料是氧化铝或氧氮化铝。

9.如权利要求8所述的电泳显示装置，还包括接收装置。