[发明专利]单晶硅的提拉方法无效
| 申请号： | 200810145905.2 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101363132A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 南俊郎 | 申请（专利权）人： | 科发伦材料株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹雯;孙秀武 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅的提拉方法，其特征在于：将晶种与原料硅熔液接触并提拉，生长成颈后，进行增径以生长成规定晶体径的单晶体，在这种单晶硅提拉中，使前述颈径增减来进行颈的生长，这时，用增减的前述颈径邻接的变曲点间的颈径差除以前述变曲点间的颈长，得到的值作为颈径变化率时，前述颈径变化率为0.05以上且不足0.5。
2.根据权利要求1所述的单晶硅的提拉方法，其特征在于：前述颈生长时，在坩埚壁面施加100高斯以上的会切磁场，使结晶旋转速度为1rpm以上15rpm以下，在与前述结晶相反方向上旋转的坩埚旋转速度大于8rpm且在15rpm以下。
3.根据权利要求1所述的单晶硅的提拉方法，其特征在于：前述颈生长时，施加2000高斯以上的水平磁场，使结晶旋转速度为1rpm以上15rpm以下，在与前述结晶相反方向上旋转的坩埚旋转速度为0.5rpm以上3rpm以下。
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