[发明专利]具有侧边口袋注入的电荷捕捉装置

权利要求书

1、一种存储单元，其特征在于，包括：

一第一源极/漏极端与一第二源极/漏极端，该第一与第二源极/漏极端具有一第一导电型态；

一介于该第一与第二源极/漏极端的沟道，该沟道具有一第二导电型态，且该沟道具有一由该第一源极/漏极端延伸至该第二源极/漏极端的沟道长度，以及一与该沟道长度垂直且由该沟道的一第一侧延伸至一第二侧的宽度；

该沟道包括一沿着至少该第一侧与第二侧之一的掺杂物侧边口袋，该掺杂物具有该第二导电型态，该侧边口袋处的该掺杂物浓度高于该沟道的一中央区域的该掺杂物浓度；

一覆盖于该沟道上的电荷捕捉结构；以及

一位于该电荷捕捉结构上的栅极。

2、根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，该沟道、该电荷捕捉结构与该栅极的排列方式是可使该电荷捕捉结构介于该栅极与该沟道间，该沟道沿着该至少一侧的厚度大于该中央区域内的厚度。

3、根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，更包括一沿着该沟道侧边的绝缘材料。

4、根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，该电荷捕捉结构包括一多层介电堆栈，该多层介电堆栈包括：

一位于该沟道上的隧穿层；

一位于该隧穿层上的电荷捕捉层；

一介于该电荷捕捉层与该栅极间的阻绝层；以及

沿着该沟道侧边的沟槽，该沟槽被填充绝缘材料。

5、根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，该电荷捕捉结构包括一多层介电堆栈，该多层介电堆栈包括：

一位于该沟道上的多层隧穿层，该多层隧穿层包括：

一硅氧化物或氮氧化硅的第一层，其中央区域的厚度小于2纳米；

一氮化硅的第二层，其中央区域的厚度小于2.5纳米；以及

一包括硅氧化物或氮氧化硅的第三层，其中央区域的厚度小于3.5纳米；

一位于该多层隧穿层上的电荷捕捉层，该电荷捕捉层包括中央区域厚度大于5纳米的氮化硅；

一介于该电荷捕捉层与该栅极间的阻绝层，该阻绝层包括一绝缘材料，其中央区域的一有效氧化物厚度大于5纳米；以及

沿着该沟道侧边的沟槽，该沟槽被填充有包括硅氧化物或氮氧化硅的材料。

6、一种集成电路装置，其特征在于，包括：

一半导体衬底，包括一存储器阵列区；

多个于该半导体衬底的该存储器阵列区中排列成行的沟槽，该多个沟槽被填充有绝缘体，且该多个沟槽之间为半导体衬底条，各半导体衬底条包括：

多个分离的源极/漏极端，其具有一第一导电型态；

多个邻近源极/漏极端间的沟道，该多个沟道具有一第二导电型态，且具有一由一第一邻近源极/漏极端延伸至一第二邻近源极/漏极端的沟道长度，以及一与该沟道长度垂直且由该沟道的一第一侧延伸至一第二侧的宽度；以及

该多个沟道包括一沿着至少该第一侧与第二侧之一的掺杂物侧边口袋，该掺杂物具有该第二导电型态，该多个侧边口袋处的该掺杂物浓度高于该多个沟道的中央区域的该掺杂物浓度；

多个覆盖于该多个沟道上的电荷捕捉结构；

多个位于该多个电荷捕捉结构与该多个半导体衬底条的沟道上排列成列的字线；以及

多个与该多个半导体衬底条中的对应半导体衬底条连接的位线；

其中一电荷捕捉存储单元的与非门架构阵列被提供于该集成电路装置上。

7、根据权利要求6所述的集成电路装置，其特征在于，该沟道、该电荷捕捉结构与该栅极的排列方式是可使该电荷捕捉结构介于该栅极与该沟道间，该沟道沿着该至少一侧的厚度大于该中央区域内的厚度。

8、根据权利要求6所述的集成电路装置，其特征在于，该电荷捕捉结构包括一多层介电堆栈，该多层介电堆栈包括：

一位于该沟道上的隧穿层；

一位于该隧穿层上的电荷捕捉层；以及

一介于该电荷捕捉层与该栅极间的阻绝层。