[发明专利]显示装置有效
申请号: | 200810145623.2 | 申请日: | 2008-08-07 |
公开(公告)号: | CN101364604A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 石井裕满 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
具有显示区域(2)的基板(1);
在上述显示区域(2)内的上述基板(1)上设置的多条扫描线(3)及 在与上述扫描线(3)正交的方向上设置的多条数据线(4);
分别连接在上述各扫描线及数据线上的多个开关元件(6);
连接在上述各开关元件上的多个像素电极(5);以及
形成为与上述各数据线平行、且具有至少与上述各像素电极的一部分 重合的部分的多条辅助电容线(7),
在上述各辅助电容线(7)和与上述各辅助电容线重合的像素电极(5) 的一部分之间,形成辅助电容部(Cs),
上述各开关元件是薄膜晶体管,该薄膜晶体管具有:栅极电极(21)、 覆盖上述栅极电极的栅极绝缘膜(22)、形成在上述栅极绝缘膜上的半导体 薄膜(23)、欧姆接触层(25、26)、由金属层构成的源极电极(27)及漏 极电极(28),
上述各数据线(4)和上述各辅助电容线(7)分别由与上述半导体薄膜 (23)相同的材料构成的第一部件(4a,7a)、与上述欧姆接触层(25、26)相同 的材料构成的第二部件(4b,7b)、以及与上述金属层相同的材料构成的第三 部件(4c,7c)自下至上层叠,上述各辅助电容线(7)的第一部件、第二部件 和第三部件分别与上述各数据线(4)的第一部件、第二部件和第三部件位于 相同的平面上,上述各数据线(4)及上述各辅助电容线(7)形成在上述栅极 绝缘膜(22)上,
上述像素电极形成在层间绝缘膜(29)上,该层间绝缘膜(29)形成 在上述栅极绝缘膜上,并覆盖上述各数据线、上述各辅助电容线及上述各 开关元件。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,具有:
驱动器搭载区域(8),形成在上述基板上,具有多个第一连接焊盘(15a 或15b);以及
多个公共引线(14a或14b),连接上述各第一连接焊盘(15a或15b) 和上述各辅助电容线(7)。
3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
上述驱动器搭载区域(8)具有多个第二连接焊盘(10),
该显示装置具备:多条引线(9),形成在上述基板上,连接上述各第 二连接焊盘(10)和上述各扫描线(3),
上述引线形成在上述基板的上表面,上述栅极绝缘膜(22)设置在上 述引线与上述辅助电容线之间,上述辅助电容线(7)经由设置在上述栅极 绝缘膜上的接触孔而被连接至上述公共引线(14a、14b)。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
上述辅助电容线具有引出电极部(7B、7C),该引出电极部(7B、7C) 与在沿上述数据线的方向上相互邻接的上述像素电极的相对的边部重合、 而且覆盖上述扫描线的一部分。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,具有:
第1公共引线(14a),设置在上述显示区域外的上述基板上的一侧边 侧,与上述多条辅助电容线的一部分连接;以及
第2公共引线(14b),设置在上述显示区域外的上述基板上的与上述 一侧边侧相对的边侧,与未和上述第1公共引线连接的上述多条辅助电容 线的另一部分连接。
6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
1个像素由沿上述数据线的方向上依次与R、G、B相对应地、或依次与 Y、M、C相对应地连续配置的3个像素电极构成。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于,
上述像素电极沿上述扫描线配置为条状,而且该像素电极的尺寸为沿 上述扫描线的方向的长度比沿上述数据线的方向的长度长。
8.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
1个像素由沿上述数据线的方向上依次与R、G、B、W相对应地、或依 次与Y、M、C、W相对应地连续配置的4个像素电极构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的