[发明专利]发光二极管装置、使用其的背光模组装置和照明装置有效
申请号: | 200810144995.3 | 申请日: | 2008-08-18 |
公开(公告)号: | CN101656282A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 许嘉良 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;G02F1/13357;H05B37/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 使用 背光 模组 照明 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管结构及其制作方法、以及使用该发光二极管结构的背 光模组装置和照明装置,更特别地,涉及一种具有有效散热设计的发光二极管结构及其制 作方法。
背景技术
通常,磊晶结构中的成长基板会有吸光的问题存在,因此在传统的发光二极管元 件制造工艺中,通常会将已完成的磊晶结构再次黏贴于透明基板上,然后移除原先的成长 基板。换言之,已知的作法会是以透明基板来取代原先的成长基板,以支撑磊晶结构,并解 决成长基板的吸光问题。
发光二极管的应用十分广泛,尤其是应用于手持通讯装置、照明装置、显示器背光 装置等时,对于元件的体积要求更趋于轻薄短小。然而,在已知的发光二极管结构中,为了 有足够的强度来支撑磊晶结构,上述透明基板须具有一定的厚度,因此难以往更薄的方向 发展。而且,已知的透明基板往往是完全地覆盖于磊晶结构的表面,且其导热系数并不高, 所以其散热效果也相对较差。
因此,如何提供一种新的发光二极管及其制作方法,来解决发光二极管的薄化与 散热问题,成为一个很重要的课题。
发明内容
鉴于先前技术所存在的问题,本发明提供一种发光二极管结构及其制作方法,可 减少发光二极管的厚度并改善已知的散热问题。
本发明一方面在于提供一种发光二极管的制作方法,该方法包括:形成一磊晶结 构于基板上;移除部分磊晶结构,使磊晶结构具有第一表面以及第二表面,其中第一表面与 第二表面为不同掺杂类型;分别制作第一电极于第一表面以及第二电极于第二表面;形成 图形化支撑结构于磊晶结构上;以及移除基板,以暴露出磊晶结构。
本发明又一方面提供一种发光二极管装置,此装置包括磊晶结构,其具有第一侧 及相对于第一侧的第二侧,且在第一侧具有第一表面以及第二表面,且第一表面与第二表 面为不同的掺杂类型;第一电极,位于第一侧的第一表面上;第二电极,位于第一侧的第二 表面上;以及图形化支撑结构,位于第一侧,用以承载磊晶结构。
本发明另一方面提供一种发光二极管的制造方法,该方法包括形成一磊晶结构于 一基板上,磊晶结构具有第一侧及相对于第一侧的第二侧;制作第一电极于磊晶结构的第 一侧上;形成图形化支撑结构于磊晶结构的第一侧;移除基板,以暴露出磊晶结构的第二 侧;及制作第二电极于磊晶结构的第二侧上。
本发明再另一方面提供一种发光二极管,其包含:磊晶结构,具有第一侧,及相对 于第一侧的第二侧;图形化支撑结构,在发光二极管的第一侧,图形化支撑结构用以承载磊 晶结构。此外,发光二极管还包含第一电极及第二电极,分别位于第一侧及第二侧。
附图说明
图1A至图1G为根据本发明一实施例的发光二极管的制造工艺流程示意图;
图2A至图2C为根据本发明一实施例的发光二极管俯视图;
图3A为根据本发明一实施例以电弧放电技术形成图形化支撑结构的电极配置图;
图3B为根据本发明一实施例以电弧放电技术形成图形化支撑结构的指插式电极 配置图;
图4A为以图3A形式的电极形成微结构于磊晶结构上的发光二极管俯视图;
图4B为以图3B形式的电极形成微结构于磊晶结构上的发光二极管俯视图;
图5A至图5G为根据本发明另一实施例的发光二极管制造工艺流程示意图;
图6A至图6C为根据本发明另一实施例的发光二极管俯视图;
图7为本发明的背光模组结构图;以及
图8为本发明的照明装置结构图。
100基板
101磊晶结构
101a第一侧
101b第二侧
102第一半导体
1022第一表面
1024第三表面
104发光活化层
106第二半导体
1062第二表面
112反射层
116第一电极
118第二电极
130图形化支撑结构
130a空隙
131、132、133、134、135、136微结构
180发光二极管
281、282、283发光二极管
302阳极电极
304阴极电极
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