[发明专利]光电装置及其制造方法

权利要求书

1、一种光电装置的制造方法，包括：

提供一基板；

通过原子层沉积、电子束蒸镀、溅镀、等离子增强化学气相沉积、常压化学气相沉积或感应式耦合等离子增强化学气相沉积，在该基板上形成一氮化物缓冲膜；以及

在该氮化物缓冲膜上外延形成一光电组件。

2、如权利要求1所述的制造方法，其中该光电组件是发光二极管。

3、如权利要求1所述的制造方法，其中该氮化物缓冲膜的沉积厚度大于25奈米。

4、如权利要求3所述的制造方法，其中该氮化物缓冲膜的沉积厚度介于50-5000奈米之间。

5、如权利要求1所述的制造方法，其中该基板为硅基板、砷化镓基板、蓝宝石基板、氮化铝基板、氮化镓基板或碳化硅基板。

6、如权利要求1所述的制造方法，其中该基板面向该氮化物缓冲膜的一面为A面、C面、R面或斜切面。

7、如权利要求1所述的制造方法，其中该氮化物缓冲膜的晶体结构为外延、多晶或非晶。

8、如权利要求1所述的制造方法，其中该氮化物缓冲膜具有奈米棒状、奈米点状、奈米碟状、奈米线状或奈米材质状结构。

9、如权利要求1所述的制造方法，其中该氮化物缓冲膜未经掺杂，其面向该光电组件的一侧为三族元素极性侧或五族元素极性侧。

10、如权利要求1所述的制造方法，还包括：

掺杂该氮化物缓冲膜。

11、如权利要求1所述的制造方法，其中该基板是构图的基板。

12、如权利要求1所述的制造方法，还包括：

构图该氮化物缓冲膜。

13、如权利要求1所述的制造方法，其中形成该氮化物缓冲膜的步骤包括：

在该基板上沉积第一缓冲层；以及

在该第一缓冲层上沉积第二缓冲层。

14、如权利要求13所述的制造方法，其中该第一缓冲层的材料选自氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氮碳化硅(SiCN)、铝-氮化硅(SiN_x:Al)、氧化硅(SiO_x)、氧化锡(ZnO_x)、氧化铟锡(ITO_x)、或氮化镓铟铝(Al_xIn_yGa_1-x-yN)。

15、如权利要求13所述的制造方法，其中该第一缓冲层包括第一部分及一二部分，该第一部分和该第二部分是不同的材质。

16、如权利要求1所述的制造方法，其中形成该氮化物缓冲膜的步骤包括：

在该基板上沉积多个子结构，其中各子结构具有对应的多个缓冲层。

17、如权利要求1所述的制造方法，其中形成该氮化物缓冲膜的步骤包括：

在该基板上沉积第一缓冲层；以及

在该第一缓冲层上沉积多个子结构，其中各子结构具有对应的多个缓冲层。

18、如权利要求1所述的制造方法，其中形成该氮化物缓冲膜的步骤包括：

在该基板上沉积至少二个缓冲层；以及

在该两个缓冲层之间沉积一扩散层。

19、如权利要求1所述的制造方法，其中形成该氮化物缓冲膜的步骤包括：

在该基板上沉积第一缓冲层；

在该第一缓冲层上沉积一扩散层；以及

在该扩散层上沉积多个子结构，其中各子结构具有对应的多个缓冲层。

20、一种光电装置，包括：

一氮化物缓冲膜，其中该氮化物缓冲膜具有多个缓冲层；

一光电组件，位于该氮化物缓冲膜之上；以及

一基板，承载该氮化物缓冲膜以及该光电组件。

21、如权利要求20所述的光电装置，其中该氮化物缓冲膜形成在该基板上，该光电组件形成在该氮化物缓冲膜上。

22、如权利要求20所述的光电装置，其中该光电组件是发光二极管。