[发明专利]太阳能电池的后制绒生产工艺

说明书

技术领域

本发明涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种太阳能电池的后制绒生产工艺。

背景技术

晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90％以上的份额，如何进一步提高效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。

在硅片上实现选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳能电池实现高效的方法之一。所谓选择性发射极结构有两个特征：1)在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区。实现选择性发射极结构的关键便是如何形成上面所说的两个区域。实现选择性发射区的方法有很多种，最常见的有光刻、激光开槽。但这些方法对太阳能电池制造而言过于复杂，只能应用于实验室或小规模的生产中，难于在常规电池的产业化生产中推广。近年来，也出现了用丝网印刷磷浆实现选择性发射区的方法，但由于丝网印刷带来的污染等问题，该方法也没有得到广泛应用。

发明内容

本发明的目的是要提供一种可以提高晶体硅太阳能电池光电效率的，适用于产业化生产的生产方法。

本发明采用的技术方案是：一种太阳能电池的后制绒生产工艺，硅片依次通过清洗、扩散、制绒、去磷硅玻璃、刻边、镀氮化硅、减反射薄膜、印刷背面电极、印刷铝背场、印刷正面电极、烧结工艺后成为电池成品。

进一步的，扩散工艺后进行去磷硅玻璃，然后进行制绒，再做一次扩散，然后再去除磷硅玻璃。

本发明的有益效果是：硅片在进行选择扩散后，形成高掺杂区和低掺杂区，在理想状态，希望高掺杂区的截面形状是上下宽度一致，但是在实际生产中，高掺杂区的截面上宽下窄呈现漏斗状，为此在扩散完成后，进行制绒，在制绒过程中，会使硅片表面一薄层被去除，相应的高掺杂区的厚度降低，高掺杂区的截面此时更接近于上下宽度一致的理性状态。最终生产出来的太阳能电池的转换效率更高。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明的经过后制绒工艺后得到的硅片的结构示意图。

图中，1.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.绒层。

具体实施方式

如图1所示一种太阳能电池的后制绒生产工艺，工艺步骤依次是：清洗，扩散，制绒，去磷硅玻璃，刻边，镀氮化硅、减反射薄膜，印刷背面电极，印刷铝背场，印刷正面电极，烧结工艺制备，制绒工艺在扩散工艺之后。

如果是进行两次扩散以形成选择性发射极的扩散工艺，在第一次扩散工艺后会在硅片1表面下形成上宽下窄的高掺杂区2，这次扩散为磷浆扩散，然后进行去磷硅玻璃的工艺，为了使高掺杂区2的截面形状是上下宽度基本一致，在这次扩散后进行制绒，在制绒过程中，会使高掺杂区表面一薄层被去除成为绒层4，制得的硅片1还要进扩散炉再进行一次扩散，用以在硅片1上形成低掺杂区3，然后再去磷硅玻璃。自此硅片1完成选择性扩散，完成选择性扩散后硅片1进行下面的加工，依次是刻边，镀氮化硅、减反射薄膜，印刷背面电极，印刷铝背场，印刷正面电极，烧结最终得到太阳能电池。