[发明专利]薄膜体声波谐振器以及制造该谐振器滤波器,复合电子元器件和通信器件的方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器(100)，它包括：

压电薄膜(103)；和，

一对将压电薄膜插入在其中的电极(101，102)；

其特征在于：

所述压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的至少部分外围区域向外延伸的外围区域(104)，

外围区域，在其至少部分区域中，包括用于阻尼声波的声阻尼区域(105)，以及

在除声阻尼区域以外的压电薄膜的任何区域中都不存在的同类或不同类离子(29)被掺入至声阻尼区域。

2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：

在压电薄膜中，声阻尼区域采用与不是声阻尼区域的任何区域相同的材料构成的，以及

声阻尼区域具有比不是声阻尼区域的任何区域都低的可结晶性。

3.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：在X射线衍射摆动曲线的半高值处，声阻尼区域可以具有比不是声阻尼区域的压电薄膜区域更大的全宽度。

4.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：台阶部分(17，17a)形成在直接位于所述声阻尼区域下的任何元件的表面上。

5.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：在谐振器部分中的压电薄膜的晶格常数和在声阻尼区域中的压电薄膜的晶格常数之间的差异大于在谐振器部分中的压电薄膜的晶格常数和在不是声阻尼区域的任何区域中的压电薄膜的晶格常数之间的差异。

6.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：声阻尼区域包括激光辐射的痕迹。

7.一种适用于生产薄膜体声波谐振器的方法，该方法包括步骤：

在衬底上形成下电极；

在下电极上或上方形成压电薄膜；

在压电薄膜上或上方形成上电极；

其特征在于：

形成压电薄膜的步骤包括：形成压电薄膜，使之具有从由上电极、压电薄膜和下电极所构成的谐振器部分的外围的至少一部分向外延伸的区域；并且通过另外掺入离子，确保向外延伸的压电薄膜区域中至少一部分具有比压电薄膜的谐振器部分更低的可结晶性，从而形成可阻尼声波的声阻尼区域。

8.如权利要求7所述的生产薄膜体声波谐振器的方法，还包括：在直接位于压电薄膜下的任何元件的表面的一部分中形成台阶部分的步骤，

其特征在于：在形成压电薄膜的步骤中，也在台阶部分上形成压电薄膜，从而形成声阻尼区域。

9.如权利要求7所述的生产薄膜体声波谐振器的方法，还包括步骤：调整用于形成直接位于压电薄膜下的任何元件的材料和/或条件，使得在谐振器部分中的压电薄膜的晶格常数和与声阻尼区域相对应的元件表面部分的晶格常数之间的差异大于在谐振器部分中的压电薄膜的晶格常数和与不是声阻尼区域的任何区域相对应的元件表面部分的晶格常数之间的差异，和，

其特征在于：在形成压电薄膜的步骤中，也在对应于声阻尼区域的元件表面部分上形成压电薄膜，从而形成声阻尼区域。

10.如权利要求7所述的生产薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：在形成压电薄膜的步骤中，激光光束辐射要形成声阻尼区域的区域，从而形成声阻尼区域。

11.一种包括多个互连薄膜体声波谐振器(1、2、3、4、5、6、7)的薄膜体声波谐振器滤波器，各个薄膜体声波谐振器包括：

压电薄膜；和，

一对将压电薄膜插入在其中的上电极和下电极；

其特征在于：

所述在多个薄膜体声波谐振器的至少一个薄膜体声波谐振器中的压电薄膜包括从由上电极、下电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的至少一部分外围区域向外延伸的外围区域，

所述外围区域，在其至少部分区域中，包括用于阻尼声波的声阻尼区域(50c，50d)，

在除声阻尼区域以外的压电薄膜的任何区域中都不存在的同类或不同类离子(29)被掺入至声阻尼区域，以及

所述声阻尼区域至少设置在多个具有不同谐振频率的薄膜体声波谐振器中的两者之间。