[发明专利]一种DC－DC转换降压软开关电路

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种电子镇流器，具体是一种用于高强度气体放电灯的DC-DC转换降压软开关电路。 

【背景技术】

请参考图1、图2及图5所示，目前常见的DC-DC降压转换电路中基本上是使用硬开关电路，然而传统电力中由于MOSFET在关断时漏极和源极电压会瞬间变的很高，从而产生很多害处。一是产生大量的电磁干扰，因为漏极和源极电压是从瞬间从零变为输入电压，电压变化率很高，从而使产品的EMC即电磁兼容难以通过。二是开关损耗很大，因为关断会产生很大的热量使电源的效率降低，从而减少了电源的使用寿命。所以，目前我们就需要一种损耗、干扰小的降压转换软开关电路。 

【发明内容】

本发明的技术目的是为了解决上述现有技术存在的问题而提供一种可以降低在使用时产生大量的电磁干扰及减少开关损耗的DC-DC转换降压软开关电路。 

为了解决上述技术问题，本发明所提供一种DC-DC转换降压软开关电路，其特征在于，包括NMOS管Q4、电感L14、L8，电容C9、C11，二极管D11至D13，NMOS管Q4接通后，输入端通过电容C11、二极管D13、电感L14、电容C9、NMOS管Q4回路给电容C9充电，NMOS管Q4关断后，电容C9上电压为输入电压，NMOS管Q4的漏极和源极电压为零； 

NMOS管Q4源极接冷地时，漏极分别与电容C9的一端、二极管D11正极、电感L8的一端连接，电容C9另一端与二极管D12的正极和电感L14的一端连接，二极管D12和二极管D11负极分别接输入端和输出端，电感L8和电感L14的另一端则分别与二极管D13正极和负极连接，同时电感L8的另一端与电容C11一端连接并接热地，而电容C11另一端则接输出端； 

NMOS管Q4漏极接输入端时，源极分别接电感L8的一端、电容C9的一端、二极管D11负极，电容C9另一端则与二极管D12负极和二极管D13正极连接，二极管D13负极与电感L14的一端连接，二极管D12正极接冷地，电感L8和电感L14的另一端与电容C11一端连接并接输出端，电容C11另一端接热地，二极管D11正极则接冷地，接热地及接冷地连接一起，即为共同端点。 

依据上述主要技术特征，二极管D12在续流完后处于钳位。 

本发明的有益技术效果：因本技术方案采用NMOS管Q4、电感L14、L8，电容C9、C11，二极管D11至D13，NMOS管Q4接通后，vin输入端通过C11、D13、L14、C9、Q4回路给C9充电；因为电容电压不可突变，所以在NMOS管Q4关断时源极和漏极的电压为零，损耗也就为零，实现了NMOS管关断零损耗，从而达到减少开关的损耗。又因使用较少的电子元器件实现了开关管零电压关断，从而有效的达到在使用时降低了产生大量电磁干扰。 

下面结合附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。 

【附图说明】

图1为现有技术一实施例电路原理图； 

图2为现有技术另一种实施例电路原理图； 

图3为图1采用本发明的实施例电路原理图； 

图4为图2采用本发明的实施例电路原理图； 

图5为现有技术中MOSFET的源极和漏极的电压波形与栅极的驱动波形； 

图6为本发明中MOSFET的源极和漏极的电压波形与栅极的驱动波形。 

【具体实施方式】

请参考图3、图4及图6所示，下面结合具体实施例说明一种DC-DC转换降压软开关电路，包括NMOS管Q4、电感L14、L8，电容C9、C11，二极管D11至D13，NMOS管Q4接通后，输入端通过电容C11、二极管D13、电感L14、电容C9、NMOS管Q4回路给电容C9充电，NMOS管Q4关断后，电容C9上电压为输入电压，NMOS管Q4的漏极和源极电压为零； 

NMOS管Q4源极接冷地时，漏极分别与电容C9的一端、二极管D11正极、电感L8的一端连接，电容C9另一端与二极管D12的正极和电感L14的一端连接，二极管D12和二极管D11负极分别接输入端和输出端，电感L8和电感L14的另一端则分别与二极管D13正极和负极连接，同时电感L8的另一端与电容C11一端连接并接热地，而电容C11另一端则接输出端；