[发明专利]一种用于GaN外延的衬底的加工方法无效
| 申请号： | 200810140001.0 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101378002A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;徐现刚;胡小波 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/302;H01L21/304 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250061山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 gan 外延 衬底 加工 方法 | ||
1.一种用于GaN外延的衬底的加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)对切割后的单晶棒进行研磨以去掉晶片的刀痕：
a将粒度为20μm～50μm的碳化硼或碳化硅或氧化铝微粉与水和悬浮剂按重量比1:1～200：0.1～200的比例配制研磨液；
b在研磨机上采用研磨盘使用配制的研磨液对晶片进行研磨直至去掉晶片的刀痕，控制晶片上的压力在30g/cm2～500g/cm2；
(2)对研磨后的晶片进行化学机械抛光以去除研磨造成的损伤层：
a将粒度小于20μm的碳化硼或碳化硅或氧化铝或金刚石微粉与水、分散剂和悬浮剂按重量比1:1～200：0.1～10：1～200的比例配制抛光液；
b在抛光机上采用锡盘或铜盘使用配制的抛光液对研磨后的晶片进行化学机械抛光直至去除研磨造成的损伤层，控制晶片上的压力在30g/cm2～500g/cm2，抛光温度为30℃～70℃；
(3)对化学机械抛光后的晶片进行退火以去除近表面原子的损伤；
(4)用湿法清洗液清洗抛光后的晶片，以去除表面上的残留粒子和沾污物。
2.如权利要求1所述的用于GaN外延的衬底的加工方法，其特征在于：所述步骤(3)中采用退火方式消除表面损伤时的退火温度为500℃-1500℃，保温时间为10小时-20小时。
3.如权利要求1所述的用于GaN外延的衬底的加工方法，其特征在于：研磨和化学机械抛光时，采用的悬浮剂是甘油或乙二醇或聚乙二醇；化学机械抛光时，所用的分散剂是硅酸钠或六偏磷酸钠或氨水或三乙醇胺或磺基水杨酸。
4.一种权利要求1所述用于GaN外延的衬底的加工方法所制得的单晶衬底表面图形，其特征在于：该表面图形的条纹为不规则任意取向的划痕。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810140001.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：移动式家用洗澡装置
- 下一篇：具增压和预热的燃气热水器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
