[发明专利]等离子体显示面板无效

专利信息
申请号: 200810137658.1 申请日: 2008-07-08
公开(公告)号: CN101345179A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 宋正锡 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01J17/49 分类号: H01J17/49;H01J17/04;H01J17/18
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;张军
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 显示 面板
【权利要求书】:

1、一种等离子体显示面板,包括:

基底;

多个第一电极,在基底上,第一电极具有第一长度并位于第一平面上;

多个第二电极,在基底上,第二电极具有第二长度并位于第二平面上,第二长度不同于第一长度,第二平面不同于第一平面;

多个介电层,在基底上,介电层埋置第一电极和第二电极。

2、如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述多个介电层中的至少一个介电层位于所述多个第一电极和所述多个第二电极之间。

3、如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述多个介电层包括在基底上的第一介电层和第二介电层,第一电极被埋置在第一介电层中,第二电极被埋置在第二介电层中。

4、如权利要求3所述的等离子体显示面板,其中,第一电极位于基底和第一介电层之间,第二电极位于第一介电层和第二介电层之间。

5、如权利要求3所述的等离子体显示面板,其中,第一电极和第二电极具有交替的阵列图案。

6、如权利要求5所述的等离子体显示面板,其中,第一电极限定基底上的奇数电极,第二电极限定基底上的偶数电极。

7、如权利要求3所述的等离子体显示面板,其中,第一电极比第二电极长。

8、如权利要求3所述的等离子体显示面板,其中,第一介电层比第二介电层宽。

9、如权利要求3所述的等离子体显示面板,其中,第一电极和第二电极是寻址电极。

10、如权利要求3所述的等离子体显示面板,其中,第一电极和第二电极是维持放电电极。

11、如权利要求1所述的等离子体显示面板,还包括信号传输器,信号传输器包括电连接到第一电极和第二电极的引线端子。

12、如权利要求11所述的等离子体显示面板,其中,引线端子被设置成对应于第一电极和第二电极的端子。

13、如权利要求12所述的等离子体显示面板,其中,信号传输器包括被埋置在柔性膜中的引线,所述引线包括所述引线端子,所述引线端子被暴露在外部,以对应于第一电极和第二电极的端子。

14、如权利要求13所述的等离子体显示面板,其中,所述引线的端子包括连接到第一电极的端子的第一引线端子和连接到第二电极的端子的第二引线端子。

15、如权利要求14所述的等离子体显示面板,其中,第一引线端子和第二引线端子被布置成距柔性膜的边缘的距离不同。

16、如权利要求15所述的等离子体显示面板,其中,第二引线端子比第一引线端子更靠近柔性膜的所述边缘。

17、一种等离子体显示面板,包括:

第一基底和第二基底,彼此面对;

多个第一放电电极和多个第二放电电极,在第一基底上;

多个第一寻址电极,在第二基底上,第一寻址电极具有第一长度并位于第一平面上;

多个第二寻址电极,在第二基底上,第二寻址电极具有第二长度并位于第二平面上,第二长度不同于第一长度,第二平面不同于第一平面;

多个介电层,在第二基底上,介电层埋置第一寻址电极和第二寻址电极;

信号传输器,电连接到第一寻址电极和第二寻址电极。

18、如权利要求17所述的等离子体显示面板,其中,所述多个介电层包括在第二基底上的第一介电层和第二介电层,第一寻址电极被埋置在第一介电层中,第二寻址电极被埋置在第二介电层中。

19、如权利要求18所述的等离子体显示面板,其中,第一寻址电极位于第二基底和第一介电层之间,第二寻址电极位于第一介电层和第二介电层之间。

20、如权利要求17所述的等离子体显示面板,其中,第一寻址电极比第二寻址电极长。

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