[发明专利]Ni-P-(Ni/SiC)p复合镀层制备的工艺方法无效

专利信息
申请号: 200810137036.9 申请日: 2008-08-29
公开(公告)号: CN101532129A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 宿辉 申请(专利权)人: 宿辉
主分类号: C23C18/32 分类号: C23C18/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150050黑龙江省哈尔滨市红*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: ni sic sub 复合 镀层 制备 工艺 方法
【权利要求书】:

1.一种实现Ni-P-(Ni/SiC)P复合镀层制备的工艺的和方法,特点是以表面修饰、改性后的碳化硅复合粒子为第二相粒子,提高了粒子在镀层中的分散程度、与镀层的结合力,镀层的硬度、耐磨性及抗高温性能。

2.根据权利要求1所述的Ni-P-(Ni/SiC)P复合镀层制备的工艺的和方法,其特征是:(SiC)P表面包覆前,必须对其进行前处理,此过程包括:氧化处理、亲水性处理、敏化处理、活化处理。

3.根据权利要求1所述的微米、纳米(SiC)P表面全包覆的工艺方法,其特征是:低碳钢试样的预处理过程包括:打磨、抛光、碱洗除油、有机溶剂除油、活化。

4.根据权利要求1所述的Ni-P-(Ni/SiC)P复合镀层制备的工艺的和方法,其特征是:镀液中各成分的浓度是:主盐的浓度为22-28g·L-1,还原剂的浓度为24-30g·L-1,复合络合剂的浓度为22-26g·L-1,稳定剂的浓度为0.1-1.0mg·L-1,缓冲剂的浓度为20-28g·L-1,光亮剂的浓度为1-5mg·L-1,分散剂的浓度为1-5mg·L-1

5.根据权利要求1所述的微米、纳米(SiC)P表面全包覆的工艺方法,其特征是:最佳工艺参数为:温度控制在35-45℃,pH为8.5-9.5。

6.根据权利要求1所述的微米、纳米(SiC)P表面全包覆的工艺方法,其特征是:所采用的原料(SiC)P的加入量为1.5~2.5mg·L-1

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