[发明专利]Ni-P-(Ni/SiC)p复合镀层制备的工艺方法无效
| 申请号: | 200810137036.9 | 申请日: | 2008-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN101532129A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
| 发明(设计)人: | 宿辉 | 申请(专利权)人: | 宿辉 |
| 主分类号: | C23C18/32 | 分类号: | C23C18/32 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 150050黑龙江省哈尔滨市红*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | ni sic sub 复合 镀层 制备 工艺 方法 | ||
1.一种实现Ni-P-(Ni/SiC)P复合镀层制备的工艺的和方法,特点是以表面修饰、改性后的碳化硅复合粒子为第二相粒子,提高了粒子在镀层中的分散程度、与镀层的结合力,镀层的硬度、耐磨性及抗高温性能。
2.根据权利要求1所述的Ni-P-(Ni/SiC)P复合镀层制备的工艺的和方法,其特征是:(SiC)P表面包覆前,必须对其进行前处理,此过程包括:氧化处理、亲水性处理、敏化处理、活化处理。
3.根据权利要求1所述的微米、纳米(SiC)P表面全包覆的工艺方法,其特征是:低碳钢试样的预处理过程包括:打磨、抛光、碱洗除油、有机溶剂除油、活化。
4.根据权利要求1所述的Ni-P-(Ni/SiC)P复合镀层制备的工艺的和方法,其特征是:镀液中各成分的浓度是:主盐的浓度为22-28g·L-1,还原剂的浓度为24-30g·L-1,复合络合剂的浓度为22-26g·L-1,稳定剂的浓度为0.1-1.0mg·L-1,缓冲剂的浓度为20-28g·L-1,光亮剂的浓度为1-5mg·L-1,分散剂的浓度为1-5mg·L-1。
5.根据权利要求1所述的微米、纳米(SiC)P表面全包覆的工艺方法,其特征是:最佳工艺参数为:温度控制在35-45℃,pH为8.5-9.5。
6.根据权利要求1所述的微米、纳米(SiC)P表面全包覆的工艺方法,其特征是:所采用的原料(SiC)P的加入量为1.5~2.5mg·L-1。
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