[发明专利]自组装光子晶体的方法有效
| 申请号: | 200810137030.1 | 申请日: | 2008-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN101338447A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
| 发明(设计)人: | 李垚;葛邓腾;赵九蓬 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号: | C30B5/00 | 分类号: | C30B5/00;B01J13/00 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 韩末洙 |
| 地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 组装 光子 晶体 方法 | ||
1.自组装光子晶体的方法,其特征在于自组装光子晶体的方法如下:一、基板的表面处理:将经过去离子水超声清洗10min-30min的基板用丙酮超声清洗10min-30min,然后用氮气吹至表面干燥或者在20℃-60℃的干燥箱中烘至干燥,再用氧等离子处理1min-10min;二、胶体溶液的配置:将球径为50nm-5μm的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、二氧化硅或二氧化钛小球加入到溶剂中得到单分散性小于等于5%、质量分数为0.005%-5%的溶液,然后将所得的溶液超声震荡10min-30min,得到胶体溶液;三、将基板放入经过去离子水清洗10-30min、丙酮超声清洗10-30min、去离子水冲洗并干燥后的容器中,然后加入步骤二配置的胶体溶液,然后在温度为20℃-70℃的恒温条件下使胶体溶液挥发,待无物质挥发取出基板,即得到光子晶体;其中步骤一中所述的基板是厚度为0.01mm-1mm且表面镀有铝、银、金或氧化铟锡的聚酯基板、聚酰亚胺基板、聚砜基板、聚碳酸酯基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨酯基板、有机硅基板或橡胶基板;步骤一中将所述的基板卷曲成空心圆柱形、空心圆台形或螺旋形;步骤二中所述的溶剂是去离子水、乙醇、甲醇、乙二醇中的一种或几种的混合溶液。
2.根据权利要求1所述的自组装光子晶体的方法,其特征在于步骤三中所述的温度为35℃-65℃。
3.自组装光子晶体的方法,其特征在于自组装光子晶体的方法如下:一、有机基板的表面处理:将有机基板放入质量分数5%-30%的酸性溶液中浸泡1min-30min,然后再用去离子水超声清洗10min-30min、干燥;二、胶体溶液的配置:将球径为50nm-5μm的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、二氧化硅或二氧化钛小球加入到溶剂中得到单分散性小于等于5%、质量分数为0.005%-5%的溶液,然后将所得的溶液超声震荡10min-30min,得到胶体溶液;三、将有机基板放入经过去离子水清洗10-30min、丙酮超声清洗10-30min、去离子水冲洗并干燥后的容器中,然后加入步骤二配置的胶体溶液,然后在温度为20℃-70℃的恒温条件下使胶体溶液挥发,待无物质挥发取出基板,即得到光子晶体;其中步骤一中所述的有机基板是厚度为0.01mm-1mm的聚酯基板、聚酰亚胺基板、聚砜基板、聚碳酸酯基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨酯基板、有机硅基板或橡胶基板;步骤一中所述的酸性溶液是重铬酸钾溶液;步骤一中将所述的有机基板卷曲成空心圆柱形、空心圆台形或螺旋形;步骤二中所述的溶剂是去离子水、乙醇、甲醇、乙二醇中的一种或几种的混合溶液。
4.根据权利要求3所述的自组装光子晶体的方法,其特征在于步骤三中所述的温度为35℃-65℃。
5.自组装光子晶体的方法,其特征在于自组装光子晶体的方法如下:一、有机基板的表面处理:将经过去离子水超声清洗10min-30min的基板用丙酮超声清洗10min-30min,然后用氮气吹至表面干燥或者在20℃-60℃的干燥箱中烘至干燥,再用氧等离子处理1min-10min;二、胶体溶液的配置:将球径为50nm-5μm的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、二氧化硅或二氧化钛小球加入到溶剂中得到单分散性小于等于5%、质量分数为0.005%-5%的溶液,然后将所得的溶液超声震荡10min-30min,得到胶体溶液;三、将有机基板放入经过去离子水清洗10-30min、丙酮超声清洗10-30min、去离子水冲洗并干燥后的容器中,然后加入步骤二配置的胶体溶液,然后在温度为20℃-70℃的恒温条件下使胶体溶液挥发,待无物质挥发取出基板,即得到光子晶体;其中步骤一中所述的有机基板是厚度为0.01mm-1mm的聚酯基板、聚酰亚胺基板、聚砜基板、聚碳酸酯基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨酯基板、有机硅基板或橡胶基板;步骤一中将所述的有机基板卷曲成空心圆柱形、空心圆台形或螺旋形;步骤二中所述的溶剂是去离子水、乙醇、甲醇、乙二醇中的一种或几种的混合溶液。
6.根据权利要求5所述的自组装光子晶体的方法,其特征在于步骤三中所述的温度为35℃-65℃。
7.根据权利要求5所述的自组装光子晶体的方法,其特征在于步骤三中所述的温度为50℃。
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