[发明专利]包括TFT的有源矩阵驱动式显示装置有效

专利信息
申请号: 200810136116.2 申请日: 2008-07-09
公开(公告)号: CN101345246A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 土居悟史 申请(专利权)人: NEC液晶技术株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L29/423;G02F1/1368
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 包括 tft 有源 矩阵 驱动 显示装置
【权利要求书】:

1.一种具有薄膜晶体管的有源矩阵驱动式显示装置,其中:

所述薄膜晶体管包括栅极层、栅极绝缘膜、被形成图案的半导体层以 及源极/漏极层,所述栅极层、栅极绝缘膜、被形成图案的半导体层以及源 极/漏极层相互关联地构造在绝缘基板上,且所述栅极层的厚度大于所述栅 极绝缘膜的厚度,且其中所述栅极层的侧面的一部分具有倒锥形结构,以 便所述栅极层的顶部悬垂于所述栅极层的底部上,从而所述栅极绝缘膜沿 栅极层的表面上具有不明显的凹陷,而不是具有锐角的楔形凹陷。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵驱动式显示装置,其中所述栅极绝 缘膜在所述栅极层的互连线和所述源极/漏极层的互连线的交会处被置于 所述栅极层的互连线和所述源极/漏极层的互连线之间。

3.根据权利要求1所述的有源矩阵驱动式显示装置,其中所述栅极层 包括多个金属膜。

4.根据权利要求3所述的有源矩阵驱动式显示装置,其中所述多个金 属膜包括第一金属膜和覆盖在所述第一金属膜上的第二金属膜,并且所述 栅极绝缘膜的厚度等于或小于所述第一金属膜的厚度。

5.根据权利要求1所述的有源矩阵驱动式显示装置,其中所述栅极层 的厚度为200nm或以上,并且所述栅极绝缘膜的厚度比所述栅极层的厚度 小50nm或以上。

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