[发明专利]包括TFT的有源矩阵驱动式显示装置有效
| 申请号: | 200810136116.2 | 申请日: | 2008-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN101345246A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
| 发明(设计)人: | 土居悟史 | 申请(专利权)人: | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/423;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 tft 有源 矩阵 驱动 显示装置 | ||
1.一种具有薄膜晶体管的有源矩阵驱动式显示装置,其中:
所述薄膜晶体管包括栅极层、栅极绝缘膜、被形成图案的半导体层以 及源极/漏极层,所述栅极层、栅极绝缘膜、被形成图案的半导体层以及源 极/漏极层相互关联地构造在绝缘基板上,且所述栅极层的厚度大于所述栅 极绝缘膜的厚度,且其中所述栅极层的侧面的一部分具有倒锥形结构,以 便所述栅极层的顶部悬垂于所述栅极层的底部上,从而所述栅极绝缘膜沿 栅极层的表面上具有不明显的凹陷,而不是具有锐角的楔形凹陷。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵驱动式显示装置,其中所述栅极绝 缘膜在所述栅极层的互连线和所述源极/漏极层的互连线的交会处被置于 所述栅极层的互连线和所述源极/漏极层的互连线之间。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵驱动式显示装置,其中所述栅极层 包括多个金属膜。
4.根据权利要求3所述的有源矩阵驱动式显示装置,其中所述多个金 属膜包括第一金属膜和覆盖在所述第一金属膜上的第二金属膜,并且所述 栅极绝缘膜的厚度等于或小于所述第一金属膜的厚度。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵驱动式显示装置,其中所述栅极层 的厚度为200nm或以上,并且所述栅极绝缘膜的厚度比所述栅极层的厚度 小50nm或以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





