[发明专利]非易失性存储器件及读取存储单元的方法

权利要求书

1、一种选择与用于一组非易失性存储器(“NVM”)单元的给定逻辑状态相关的读取参考电平的方法，所述方法包括：

从与该组NVM单元相关的历史单元导出初始读取参考电平；以及

将利用所述初始读取参考电平感测的该组NVM单元的逻辑状态分布与存储的该组NVM单元的逻辑状态分布进行比较。

2、根据权利要求1所述的方法，其中导出初始读取参考电平包括确定用于所述历史单元的参考电平。

3、根据权利要求2所述的方法，其中与用于一组NVM单元的给定逻辑状态相关的所述初始读取参考电平处于不等于所述历史单元的所述参考电平的电平，所述初始读取参考电平是从所述历史单元导出。

4、根据权利要求3所述的方法，其中与用于一组NVM单元的给定逻辑状态相关的所述初始读取参考电平和所述历史单元的所述参考电平之间的差异是基于要维持的预定裕量，所述初始读取参考电平是从所述历史单元导出。

5、根据权利要求2所述的方法，其中与用于一组NVM单元的给定逻辑状态相关的所述初始读取参考电平处于基本等于所述历史单元的读取参考电平的电平，所述初始读取参考电平是从所述历史单元导出。

6、根据权利要求1所述的方法，还包括基于逻辑状态分布的比较结果调整所述初始读取参考电平。

7、根据权利要求2所述的方法，其中如果在给定逻辑状态感测的NVM单元的数量高于存储值，则向上调整所述初始读取参考电平。

8、根据权利要求2所述的方法，其中如果在给定逻辑状态感测的单元的数量低于存储值，则向下调整所述初始读取参考电平。

9、一种非易失性存储器(“NVM”)器件，包括：

包括一组非易失性存储器(“NVM”)单元的NVM阵列；以及

控制逻辑，其适于从与该组NVM单元相关的历史单元导出初始读取参考电平并将利用所述初始读取参考电平感测的该组NVM单元的逻辑状态分布与存储的该组NVM单元的逻辑状态分布进行比较。

10、根据权利要求9所述的器件，其中所述控制逻辑适于通过确定用于所述历史单元的参考电平来导出初始读取参考电平。

11、根据权利要求10所述的器件，其中与用于一组NVM单元的给定逻辑状态相关的所述初始读取参考电平处于不等于所述历史单元的所述参考电平的电平，所述初始读取参考电平是从所述历史单元导出。

12、根据权利要求11所述的器件，其中与用于一组NVM单元的给定逻辑状态相关的所述初始读取参考电平和所述历史单元的所述参考电平之间的差异是基于要维持的预定裕量，所述初始读取参考电平是从所述历史单元导出。

13、根据权利要求10所述的器件，其中与用于一组NVM单元的给定逻辑状态相关的所述初始读取参考电平处于基本等于所述历史单元的所述参考电平的电平，所述初始读取参考电平是从所述历史单元导出。

14、根据权利要求9所述的器件，其中所述控制逻辑进一步适于基于逻辑状态分布的比较结果调整所述初始读取参考电平。

15、根据权利要求10所述的器件，其中如果在给定逻辑状态感测的NVM单元的数量高于存储值，则向上调整所述初始读取参考电平。

16、根据权利要求10所述的器件，其中如果在给定逻辑状态感测的单元的数量低于存储值，则向下调整所述初始读取参考电平。