[发明专利]液晶显示装置

说明书

相关申请的交叉参考

本申请基于2007年7月9日提交的第2007-179823号和2008年6 月16日提交的第2008-156741号日本专利申请，并要求这两个申请的 优先权的权益，申请的内容通过引用被完全包含于此。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置。

背景技术

有源矩阵型液晶显示装置能够显示高清晰度高品质的图像，从而 通常被用作液晶电视机、便携式装置等的显示装置，其中，有源矩阵 型液晶显示装置包括设置在每个象素作为有源元件的晶体管。在这些 有源矩阵型液晶显示装置中，由于以下原因，利用多晶薄膜晶体管(下 文中被称作“多晶硅TFT”)作为晶体管的液晶显示装置尤其用于像 素尺寸小的液晶显示装置。这些原因即：采用这种类型，晶体管具有 高电流驱动能力，从而提供给每个像素的晶体管的尺寸可以减小；用 于产生供给每个像素的信号的电路可以构造在形成有每个象素的同一 基底上。

图22是示出了利用多晶硅TFT的液晶显示装置的一个像素的等 效电路的电路框图。下文中参照这个附图来提供说明。

在这个附图中，晶体管Tr1被提供给每个像素。连接到晶体管Tr 的源电极的像素电容器Cpix由像素电极、反电极(counter electrode) 和夹在这两个电极之间的液晶层形成。此外，保持电容器Cst连接到晶 体管Tr1的源电极。晶体管Tr的栅电极连接到栅极线Gn，并且晶体管 Tr1的漏电极连接到数据线Dm。

在用于显示液晶显示装置的一屏的图像的时间段中，晶体管Tr1 操作以在该时间段的大部分时间内保持写入到像素电容器Cpix和保持 电容器Cst的视频信号。如果在保持时间段期间像素电容器Cpix和保 持电容器Cst的电压不产生波动，则能够得到闪烁小且串扰少的精细的 画面品质。

近来，市场上对在显示装置中实现诸如高清晰度和高亮度的性能 需求很强。因此，液晶显示装置的像素间距已经变小，作为光源的背 光的亮度增大。液晶显示装置的亮度几乎取决于背光的亮度和液晶显 示装置的像素的透光率，像素的透光率根据数值孔径发生大的改变。 当像素间距由于实现高清晰度而变小时，数值孔径也自然地变小。此 外，像素电容器和保持电容器的值也变小。而且，晶体管的漏电流根 据照射到晶体管的光的量而增加。因此，在高清晰度和高亮度的液晶 显示装置中，在保持时间段期间，像素电容器和保持电容器的电压变 得波动，从而产生闪烁和串扰。

具体来说，在利用顶部栅极型多晶硅TFT的液晶显示装置的情况 下，来自背光的光直接照射到晶体管的沟道部分。因此，其光漏电流 变得大于通常利用底部栅极型的非晶硅薄膜晶体管(下文中称作“a-Si TFT”)的液晶显示装置的光漏电流。这导致了更多严重的问题。

另外，串扰不仅很大程度地受晶体管的漏电流的程度的影响，还 受漏电流对于“源极和漏极之间的电压Vds的相关性的”影响。此外， 假设数据线Dm的电势是Vdata并且像素电容器Cpix的电压是Vpix， 则Vds是Vdata和Vpix的函数。因此，根据写入到与公用数据线连接 的每个像素的信号的亮度，每个像素的晶体管的源极和漏极之间的电 压波动很大。因此，晶体管的漏电流将大大地变化。结果，当显示特 定图案时，不显示图案的像素将受到影响，从而产生串扰。

第2000-010072号日本未实质审查的专利公开(专利文件1：图1 等)公开了用于处理这些问题的传统技术的示例。图23A是示出了在 专利文件1中公开的液晶显示装置的一个像素的等效电路的电路图。 在下文中，将参照这个附图来提供说明。

在此技术中，用于将视频信号写入像素的晶体管是串联连接的两 个晶体管Tr1和Tr2。在完成将视频信号写入像素之后，两个晶体管 Tr1和Tr2被设置成同时不导电，作为两个晶体管Tr1和Tr2之间的连 接点的中间节点通过第三晶体管Tr3p连接到公共布线ST，公共布线 ST具有等于反电极的电压的电压。采用这些操作，由于这两个串联连 接的晶体管Tr1和Tr2，与像素连接的晶体管Tr2的源极和漏极之间的 电压Vds变成与数据线Dm的电势无关。考虑的是因此能够减少串扰。