[发明专利]负极和电池有效
| 申请号: | 200810135637.6 | 申请日: | 2008-07-07 |
| 公开(公告)号: | CN101355147A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
| 发明(设计)人: | 广濑贵一;川濑贤一;小西池勇;森田望;藤井敬之 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | H01M4/02 | 分类号: | H01M4/02;H01M10/40;H01M10/04 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 宋海宁 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 负极 电池 | ||
相关申请的交叉引用
本发明包含提交给日本特许厅的申请日为2007年7月26日,申请号为JP2007-194516的日本专利申请涉及的主题,其整个内容包含在此作为参考。
技术领域
本发明涉及包括负极集流体上的负极活性材料层的负极,以及包括该负极的电池。
背景技术
近年来,便携式电子设备被广泛使用,例如集成照相机的VTR(录像带记录器)、蜂窝电话或膝上型电脑,强烈需要减小便携式电子设备的尺寸及重量,并增加便携式电子设备的寿命。因而,作为便携式电子设备的电源,已经提出发展电池,特别是能够获得高能量密度的轻量二次电池。它们之中使用插入及提取锂来进行充放电反应的二次电池(所谓的锂离子二次电池)有较大希望,因为与铅酸电池或镍镉电池相比,二次电池能够获得更大的能量密度。
锂离子二次电池包括正极、负极及电解质溶液,负极包括负极集流体上的负极活性材料层。作为负极的活性材料(负极活性材料),广泛使用碳材料;然而,最近随着便携式电子设备性能提升及功能扩展,期望电池容量进一步提高,所以考虑使用硅来代替碳材料。由于硅的理论容量(4199mAh/g)远大于石墨的理论容量(372mAh/g),所以期望提高电池容量。
使用具有高理论容量的硅作为负极活性材料的情况下,已经进行了某些尝试。更具体地,已经提出了在硅颗粒上还原沉积导电金属的技术(例如参考公开号为H11-297311的日本未审专利申请)、硅化合物被涂覆金属的技术(例如参考公开号为2000-036323的日本未审专利申请)、在硅颗粒上散布未与锂化合的金属元素的技术(例如参考公开号为2001-273892的日本未审专利申请)、将铜溶解到硅薄膜中的技术(例如参考公开号为2002-289177的日本未审专利申请)等。
作为形成负极活性材料的方法,使用例如溅射法的气相(vapor-phase)方法(例如参考公开号为2005-285651、2006-278104及2006-086058的日本未审专利申请)。更具体地,硅被沉积在具有粗糙表面配置的负极集流体上,从而形成负极活性材料,因而负极活性材料在厚度方向上包括由间隙分离的多个柱形部分,每个柱形部分与负极集流体紧密接触。
然而,当通过气相方法沉积作为负极活性材料的硅时,在负极活性材料上形成多孔(洞)来增加负极活性材料的表面积,其中插入了锂的负极活性材料在充电期间具有高活性,从而电解质溶液容易被分解,而且锂容易被去激活。因而,虽然二次电池获得了更高的容量,但作为二次电池重要特性的循环特性容易下降。特别是,小直径的孔的存在在负极活性材料的表面积上有很大影响,因而孔的存在是循环特性下降的主要原因。
已经报告了有关负极活性材料中形成多孔的某些情况(例如参考公开号为2005-293899和2004-071305的日本未审专利申请)。这种情况下,报告了初始充电及放电期间,多个初级颗粒被聚集来形成多个二次颗粒,二次颗粒在厚度方向上由凹槽分离,一些初级颗粒被凹槽分离来形成的分束颗粒(例如参考公开号为2006-155957的日本未审专利申请)。
类似于上述具有小直径的孔,分离二次颗粒的凹槽宽度对循环特性上有很大影响。更具体地,当每单位区域形成分离二次颗粒的大量的具有较窄宽度的凹槽时,减小了单个二次颗粒的尺寸及表面积;然而,提高了二次颗粒形成的整个负极活性材料的表面积,因而电解质溶液容易被分解。另一方面,当分离二次颗粒的具有较宽宽度的凹槽被形成时,二次颗粒不太可能被分割成小块,因而减小了每单位区域负极活性材料的表面积,电解质溶液不太可能被分解,但提高了单个二次颗粒的尺寸,因而提高了充放电期间根据负极活性材料的膨胀及收缩的压力。因而,难以释放负极活性材料层中的压力,从而负极活性材料层容易从负极集流体剥离。
发明内容
由于最近的便携式电子设备具有更小尺寸、更高性能及更多功能,二次电池因而期望被频繁地充放电,因而循环特性容易下降。因此,期望进一步改进二次电池的循环特性。
考虑到前述内容,可期望提供一种能够改进循环特性的负极及电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810135637.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





