[发明专利]半导体芯片收容托盘有效
申请号: | 200810135518.0 | 申请日: | 2008-08-19 |
公开(公告)号: | CN101373725A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 田村良平;进藤知幸;太田浩则;矢泽和夫 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;B65D85/86;B65D21/032;B65D19/24;H05K13/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 收容 托盘 | ||
1.一种半导体芯片收容托盘,在层叠有多个的状态下使用,并且 每个所述半导体芯片收容托盘收容多个半导体芯片,所述半导 体芯片收容托盘包括:
底板;
多个表面凸部,设置在所述底板的表面,用于将所述底 板的表面分成多个第一半导体芯片收容区域;以及
多个背面凸部,设置在所述底板的背面,用于将所述底 板的背面分成多个第二半导体芯片收容区域;
其中,所述第一半导体芯片收容区域相对于所述半导体 芯片的边缘宽度小于所述第二半导体芯片收容区域相对于所 述半导体芯片的边缘宽度,并且
在所述半导体芯片收容托盘层叠的情况下,所述多个第 二半导体芯片收容区域分别与所述第一半导体芯片收容区域 重叠,
作为所述背面凸部的一部分的第一背面凸部的下端不面 向下一层的所述半导体芯片收容托盘具有的所述多个表面凸 部的任意一个的上端,
作为所述表面凸部的一部分的第一表面凸部的上端不面 向上一层的所述半导体芯片收容托盘具有的所述多个背面凸 部的任意一个的下端,
所述第一背面凸部的下端与下一层的所述半导体芯片收 容托盘的表面之间的距离以及所述第一表面凸部的上端与上 一层的所述半导体芯片收容托盘的背面之间的距离分别小于 所述半导体芯片的厚度,并且
所述第一背面凸部的高度以及所述第一表面凸部的高度 分别大于所述半导体芯片的厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片收容托盘,其中,
所述半导体芯片的平面形状为长方形,
所述多个表面凸部包括:面向所述半导体芯片的长边侧 的侧面的多个长边用表面凸部;以及面向所述半导体芯片的短 边侧的侧面的多个短边用表面凸部,
所述多个背面凸部包括:面向所述半导体芯片的长边侧 的侧面的多个长边用背面凸部;以及面向所述半导体芯片的短 边侧的侧面的多个短边用背面凸部,
与所述长边用表面凸部中最靠近所述半导体芯片的短边 的凸部相比,所述长边用背面凸部中最靠近所述半导体芯片的 短边的凸部更靠近所述半导体芯片的短边。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片收容托盘,其中,
所述半导体芯片的平面形状为长方形,
所述多个表面凸部包括:面向所述半导体芯片的长边侧 的侧面的多个长边用表面凸部;以及面向所述半导体芯片的短 边侧的侧面的多个短边用表面凸部,
所述多个背面凸部包括:面向所述半导体芯片的长边侧 的侧面的多个长边用背面凸部;以及面向所述半导体芯片的短 边侧的侧面的多个短边用背面凸部,
所述多个短边用背面凸部的高度以及所述多个短边用表 面凸部的高度分别小于等于所述半导体芯片收容托盘层叠时 所述半导体芯片收容托盘的背面与下一层的所述半导体芯片 收容托盘的表面之间的距离的一半,
在所述半导体芯片收容托盘层叠的情况下,所述多个短 边用背面凸部的下端分别面向下一层的所述半导体芯片收容 托盘的所述短边用表面凸部的上端。
4.根据权利要求2所述的半导体芯片收容托盘,其中,
所述半导体芯片的平面形状为长方形,
所述多个表面凸部包括:面向所述半导体芯片的长边侧 的侧面的多个长边用表面凸部;以及面向所述半导体芯片的短 边侧的侧面的多个短边用表面凸部,
所述多个背面凸部包括:面向所述半导体芯片的长边侧 的侧面的多个长边用背面凸部;以及面向所述半导体芯片的短 边侧的侧面的多个短边用背面凸部,
所述多个短边用背面凸部的高度以及所述多个短边用表 面凸部的高度分别小于等于所述半导体芯片收容托盘层叠时 所述半导体芯片收容托盘的背面与下一层的所述半导体芯片 收容托盘的表面之间的距离的一半,
在所述半导体芯片收容托盘层叠的情况下,所述多个短 边用背面凸部的下端分别面向下一层的所述半导体芯片收容 托盘的所述短边用表面凸部的上端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造