[发明专利]沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法，其特征在 于其包括以下步骤：

制作一第一导电型的外延层于一硅基板上；

制作多个第一沟槽于该外延层；

全面离子注入第一导电型的掺杂物于该外延层内；

通过一多晶硅层光掩膜，以微影蚀刻方式制作一多晶硅图案层覆盖该 第一沟槽与其周围一预设范围的该外延层；

通过该多晶硅图案层，以离子注入方式注入第二导电型的掺杂物于该 外延层内；

导入该外延层内的该些掺杂物，以形成一具有该第二导电型的阱区；

通过该多晶硅图案层，以离子注入方式注入该第一导电型的掺杂物于 该阱区内，以形成多个第一掺杂区；

蚀刻去除位于该外延层上方的该多晶硅图案层以形成多晶硅栅极，并 且在蚀刻去除该多晶硅图案层的步骤中，同时去除位于该多晶硅图案层的 开口下方的部分该第一掺杂区，使该第一掺杂区未被去除的部分被分为两 部分，分别对应于该开口两侧的所述多晶硅栅极；

导入该第一掺杂区内的掺杂物，以形成一源极掺杂区紧邻于该第一沟 槽；

全面沉积一介电层，并于该介电层中制作一接触窗，曝露部分该源极掺 杂区；以及

沉积一金属层于该介电层上，并填入该接触窗覆盖该源极掺杂区。

2.根据权利要求1所述的沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的制 作方法，其特征在于其中，于该介电层内制作该接触窗之后，更包括通过该 接触窗以离子注入方式注入该第二导电型掺杂物于该阱区内，以构成一第 二掺杂区。

3.一种根据权利要求2的方法制作的沟槽栅金属氧化物半导体场效应 晶体管，其特征在于其包含：

一第一导电型的外延层；

多个第一沟槽，位于该外延层内；

一多晶硅栅极，位于该第一沟槽内；

一第二导电型的阱区，位于相邻两个该第一沟槽间，该阱区的下缘在对 应于相邻两个该第一沟槽间的中间处具有一向下凸出，并且，该阱区在邻接 于该第一沟槽的侧壁处具有最小的深度，并且，该向下凸出为一开口向上的 弧面；

多个第一导电型的源极掺杂区，分别邻接于该些第一沟槽，其下缘呈现 因掺杂物导入而构成的曲面；

一第二导电型的第二掺杂区，位于两个该源极掺杂区之间；

一介电层，覆盖该多晶硅栅极，该介电层并具有至少一接触窗曝露该源 极掺杂区；以及

一金属层，覆盖该介电层与该源极掺杂区。

4.根据权利要求3所述的沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管，其 特征在于其中所述的源极掺杂区的最深处位于该接触窗的下方。

5.根据权利要求3所述的沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管，其 特征在于其中所述的阱区上表面具有一凹陷，位于两个该源极掺杂区之间， 该凹陷的侧壁邻接于该源极掺杂区，该凹陷的底面邻接于该第二导电型的 第二掺杂区，并且，该接触窗的侧壁是位于该凹陷的外侧。