[发明专利]制造碳薄膜的方法和碳薄膜涂覆体有效
| 申请号： | 200810135072.1 | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101363111A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 金泽孝明;下田健二;七原正辉;铃木奉努;大森直之 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;爱信精机株式会社;株式会社东研萨莫技术 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜 方法 涂覆体 | ||
1.一种制造碳薄膜的方法，其特征在于包括：
通过利用包括真空室(11)的磁控溅射装置(10)的PVD方法，在基材(5)的表面上沉积包含Cr和WC的中间层(6)，在所述真空室(11)中设置有由Cr形成的Cr靶(14A)和由WC形成WC靶(14B)；
在所述中间层的表面上形成类金刚石碳涂层(1)；和
其中：
在所述中间层的沉积期间对所述基材施加0V到-30V的偏压；
将施加到所述基材的所述偏压设定为在0V到-30V范围内的固定值；和
在所述中间层的沉积期间，初始时仅将功率供给到Cr靶和WC靶中的Cr靶，然后逐渐增加供给到WC靶的功率并减小供给到Cr靶的功率，使得供给到Cr靶的功率最终为零。
2.根据权利要求1所述的制造碳薄膜的方法，其中所述中间层的所述表面为与所述基材相反侧上的表面。
3.根据权利要求1所述的制造碳薄膜的方法，其中通过选自PVD方法和CVD方法中的一种形成所述类金刚石碳涂层。
4.一种利用根据权利要求1～3中任一项所述的制造碳薄膜的方法制造的碳薄膜涂覆体，其特征在于包括：
在基材表面上形成的所述中间层；和
在所述中间层的表面上形成的所述类金刚石碳涂层。
5.根据权利要求4所述的碳薄膜涂覆体，其中在所述中间层中，WC与Cr的重量比随着到所述基材的距离的增加而增加。
6.根据权利要求4所述的碳薄膜涂覆体，其中所述中间层具有690DH的硬度。
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