[发明专利]薄膜光伏板和其光电转换单元无效
| 申请号： | 200810134564.9 | 申请日： | 2008-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101640224A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 杨与胜;林朝晖 | 申请（专利权）人： | 福建钧石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/075 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 光伏板 光电 转换 单元 | ||
1、一种薄膜光伏板，至少包括玻璃基板、透明导电前电极、透明导电背电极和玻璃背板，其特征在于：在所述透明导电前电极和透明导电背电极之间包括具有分流抑制层的光电转换单元。
2、根据权利要求1所述的薄膜光伏板，其特征在于：所述光电转换单元为p-i-n-″i″-n型结构，依次包括非晶硅p层、本征非晶硅i层、第一非晶硅n层，作为分流抑制层的虚拟i层，和第二非晶硅n层。
3、根据权利要求1所述的薄膜光伏板，其特征在于：所述光电转换单元依次包括非晶硅p层、本征非晶硅i层、第一非晶硅n层，分流抑制层和第二非晶硅n层。
4、根据权利要求3所述的薄膜光伏板，其特征在于：所述分流抑制层为复数个虚拟i层和复数个n型宽带隙非晶硅合金层间隔层叠在一起的叠层结构。
5、根据权利要求2或4所述的薄膜光伏板，其特征在于：所述虚拟i层的材料包括非掺杂或微掺杂的宽带隙非晶硅合金。
6、根据权利要求5所述的薄膜光伏板，其特征在于：所述非晶硅合金包括非晶硅碳、非晶硅氧、非晶硅氮、氟化非晶硅、非晶硅碳氧合金中的一种。
7、根据权利要求6所述的薄膜光伏板，其特征在于：所述非晶硅合金的暗电阻率包括105欧姆·厘米～1010欧姆·厘米的范围，厚度包括10～200纳米的范围。
8、一种光电转换单元，其特征在于：所述光电转换单元为p-i-n-″i″-n型结构，依次包括非晶硅p层、本征非晶硅i层、第一非晶硅n层，作为分流抑制层的虚拟i层，和第二非晶硅n层。
9、根据权利要求8所述的光电转换单元，其特征在于：所述虚拟i层的材料包括非掺杂或微掺杂的宽带隙非晶硅合金。
10、一种光电转换单元，其特征在于：所述光电转换单元依次包括非晶硅p层、本征非晶硅i层、第一非晶硅n层，分流抑制层和第二非晶硅n层。
11、根据权利要求10所述的光电转换单元，其特征在于：所述分流抑制层为复数个虚拟i层和复数个n型宽带隙非晶硅合金层间隔层叠在一起的叠层结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
