[发明专利]低温处理钝化应用的方法

权利要求书

1.一种封装一有机电激发光装置的方法，至少包含：

(A)在一阴极层上沉积一内封装层，其中，该内封装层是附着在该阴极层上；以及

(B)在该内封装层上沉积一外封装层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的内封装层是一折射率约为1.95或更高的氮化硅薄膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的沉积步骤(A)是在具有一载座的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室或化学气相沉积(CVD)反应室中执行，且其中在至少一部分的沉积步骤(A)期间，该PECVD或CVD反应室中的压力是介于1.0托耳和1.4托耳之间。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的沉积步骤(A)是在具有一载座的PECVD反应室中执行，并且其中在至少一部分的沉积步骤(A)期间，该PECVD反应室内的功率约为C₁×1500瓦至约C₁×2500瓦，其中

C₁＝[该PECVD载座的尺寸/200,000平方毫米]。

5.一种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含：

(A)在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层黏附至该阴极层；以及

(B)在该内封装层上沉积一外封装层，其中该沉积步骤(A)是在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)处理室或一具有载座的化学气相沉积(CVD)处理室中进行，且其中在至少一部份的沉积步骤(A)期间该PECVD或CVD处理室中的压力约为1.0托耳至约1.4托耳。

6.一种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含：

(A)在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层黏附至该阴极层；以及

(B)在该内封装层上沉积一外封装层，其中该沉积步骤(A)是在一具有载座的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)处理室中进行，且其中在至少一部份的沉积步骤(A)期间该PECVD或CVD处理室中的功率为C₁×1500瓦至约C₁×2500瓦，其中

C₁＝[该PECVD载座的尺寸/200,000平方毫米]。

7.一种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含：

(A)在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层黏附至该阴极层；以及

(B)在该内封装层上沉积一外封装层，

其中所述沉积步骤(A)是在一PECVD处理室中进行且其中：

在至少一部份的沉积步骤(A)期间，进入该PECVD反应室的硅烷气体的流速是1相对单位；

在至少一部份的沉积步骤(A)期间，进入该PECVD反应室的氨气的流速是小于5相对单位；以及

在至少一部份的沉积步骤(A)期间，进入该PECVD反应室的氮气的流速是至少5相对单位。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在至少一部份的沉积步骤(A)期间，进入该PECVD处理室的氨气的流速是小于1相对单位。

9.一种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含：

(A)在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层黏附至该阴极层；以及

(B)在该内封装层上沉积一外封装层，其中该沉积步骤(A)是在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)处理室或一化学气相沉积(CVD)处理室中进行，且其中在至少一部份的沉积步骤(B)期间该PECVD或CVD处理室中的压力约为0.7托耳至约0.9托耳。

10.一种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含：

(A)在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层黏附至该阴极层；以及

(B)在该内封装层上沉积一外封装层，

其中该沉积步骤(B)是在一具有载座的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)处理室中进行，且其中在至少一部份的沉积步骤(B)期间该PECVD处理室中的功率为C₁×700瓦至约C₁×900瓦，其中

C₁＝[该PECVD载座的尺寸/200,000平方毫米]。